本實用新型提供一種互連結(jié)構(gòu)及半導體器件,所述互連結(jié)構(gòu)包括:基底,第一層間介質(zhì)層,位于基底上,且第一層間介質(zhì)層內(nèi)具有第一金屬層,第二層間介質(zhì)層,覆蓋第一層間介質(zhì)層和第一金屬層,且第二層間介質(zhì)層內(nèi)形成有第二凹槽,第二凹槽暴露出部分第一金屬層,第二阻擋層,形成于第二凹槽的側(cè)壁及底部,且第二阻擋層的材質(zhì)包含鉭化釕;第二金屬層,填充于第二凹槽內(nèi).在第二凹槽的側(cè)壁及底部形成有第二阻擋層,且第二阻擋層的材質(zhì)包含鉭化釕,從而使得后續(xù)形成的第二金屬層的浸潤性更好.并且,第一金屬層內(nèi)形成有凹陷,使得通孔的底部呈弧形,增大了通孔電流的橫截面積,從而減小通孔的接觸電阻,增加抗電子遷移能力.