一動態(tài)隨機存取存儲器（ＤＲＡＭ）集成電路，包含一確定在一半導(dǎo)體基板內(nèi)的凹陷區(qū)域。此凹陷區(qū)域具有自一底面延伸的基本上垂直的邊側(cè)。一場效三極管經(jīng)確定以鄰接于該凹陷區(qū)域。一包含有下電容器板、電容介電體及上電容器板的電容器結(jié)構(gòu)，確定在該凹陷區(qū)域中、該場效三極管上方，借此提供較大的電容器表面。 特性 一種存儲器裝置，該裝置包括：一半導(dǎo)體基板，包含一凹陷區(qū)域，該凸陷區(qū)域具有由一底面延伸的側(cè)邊；一場效三極管，該 場效三極管包括一鄰接于該凹陷區(qū)域的源／汲極區(qū)域；一絕緣 層，覆蓋在該凹陷區(qū)域上；一下電容器板，覆蓋在該絕緣層上 ，并位于一部分該場效三極管上方，該下電容器板連接至該源 ／汲源區(qū)域；一電容器介電體，覆介該下電容器板上；及一上電容器板，覆蓋在該介電層上。