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臺(tái)積電
臺(tái)積電
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Intel芯片果真外包，正與臺(tái)積電接洽
Intel芯片果真外包，正與臺(tái)積電接洽
確實(shí)，Intel曾有過(guò)將芯片生產(chǎn)外包給臺(tái)積電等廠商的計(jì)劃，并且雙方有過(guò)接洽。以下是對(duì)此事的詳細(xì)分析：一、Intel芯片外包的背景與原因背景：Intel作為半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭，過(guò)去一直擁有自己的芯片制造工廠，并采用IDM（垂直整合制造）模式。然而，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)的加劇，Intel在先進(jìn)制程技術(shù)方面遇到了挑戰(zhàn)。原因：制程技術(shù)推遲......
臺(tái)積電
2021-01-18
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OPPO、vivo、小米等大舉追加訂單，聯(lián)發(fā)科反超高通成臺(tái)積電第三大客戶
OPPO、vivo、小米等大舉追加訂單，聯(lián)發(fā)科反超高通成臺(tái)積電第三大客戶
OPPO、vivo、小米等大舉追加訂單，以及聯(lián)發(fā)科反超高通成為臺(tái)積電第三大客戶的情況，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析：一、手機(jī)廠商追加訂單的背景市場(chǎng)需求增長(zhǎng)：隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的回暖和換機(jī)周期的到來(lái)，消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)的需求逐漸增加。OPPO、vivo、小米等手機(jī)廠商為了滿足市場(chǎng)需求，紛紛追加訂單以增加產(chǎn)量。技術(shù)升級(jí)與創(chuàng)新：這些手機(jī)廠商在技術(shù)創(chuàng)新......
臺(tái)積電
2021-01-12
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臺(tái)積電計(jì)劃在日本建立首座先進(jìn)封測(cè)廠
臺(tái)積電計(jì)劃在日本建立首座先進(jìn)封測(cè)廠
臺(tái)積電計(jì)劃在日本建立首座先進(jìn)封測(cè)廠的相關(guān)情況如下：一、背景與動(dòng)機(jī)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)：隨著全球高科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高性能芯片的需求不斷增加。臺(tái)積電作為半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域的佼佼者，為了滿足市場(chǎng)需求，需要擴(kuò)大產(chǎn)能。供應(yīng)鏈安全考慮：新冠疫情下地區(qū)封鎖導(dǎo)致部分國(guó)家和地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈斷鏈，以及美國(guó)將半導(dǎo)體技術(shù)“武器化”來(lái)打壓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的行為，促使全球多......
臺(tái)積電
2021-01-07
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臺(tái)積電2021年資本支出將達(dá)200億美元，設(shè)備廠將受益
臺(tái)積電2021年資本支出將達(dá)200億美元，設(shè)備廠將受益
臺(tái)積電2021年的資本支出計(jì)劃實(shí)際上遠(yuǎn)超200億美元。根據(jù)臺(tái)積電官方及多個(gè)權(quán)威來(lái)源的信息，2021年臺(tái)積電的資本支出預(yù)計(jì)為250億美元至280億美元，后又上調(diào)至300~310億美元，這一數(shù)字較上一年度有了大幅的增長(zhǎng)。臺(tái)積電如此大規(guī)模的資本支出，主要得益于5G、高效能運(yùn)算（HPC）等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，這些領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程的需求尤為旺盛。臺(tái)積電預(yù)......
臺(tái)積電
2021-01-06
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臺(tái)積電三星 3nm 研發(fā)遭遇挑戰(zhàn)，但消息稱仍有足夠時(shí)間在 2022 年開(kāi)始量產(chǎn)
臺(tái)積電三星 3nm 研發(fā)遭遇挑戰(zhàn)，但消息稱仍有足夠時(shí)間在 2022 年開(kāi)始量產(chǎn)
關(guān)于臺(tái)積電和三星在3nm研發(fā)上遭遇的挑戰(zhàn)，以及它們是否仍有足夠時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)的問(wèn)題，以下是根據(jù)相關(guān)信息給出的分析：一、臺(tái)積電和三星的3nm研發(fā)挑戰(zhàn)技術(shù)難題：三星在3nm工藝上采用了全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)，這是一種相對(duì)新穎的技術(shù)，旨在提升芯片性能和能效。然而，這種技術(shù)的復(fù)雜性導(dǎo)致了三星在量產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率低下的問(wèn)題，據(jù)報(bào)道其良......
臺(tái)積電
2021-01-06
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傳臺(tái)積電與三星3nm開(kāi)發(fā)雙雙受阻，量產(chǎn)時(shí)間恐推遲
傳臺(tái)積電與三星3nm開(kāi)發(fā)雙雙受阻，量產(chǎn)時(shí)間恐推遲
英飛凌推出的適用于5G和LTE宏基站的全新柵極驅(qū)動(dòng)IC，是英飛凌科技股份有限公司（Infineon）在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要?jiǎng)?chuàng)新。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述英飛凌推出的全新柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品系列為EiceDRIVER? 2EDL8，這款柵極驅(qū)動(dòng)IC專為滿足移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)備DC-DC電信磚的增長(zhǎng)需求而設(shè)計(jì)。二、產(chǎn)品特點(diǎn)雙通道接面......
臺(tái)積電
2021-01-05
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臺(tái)積電與三星的下一個(gè)賽點(diǎn)：3nm技術(shù)
臺(tái)積電與三星的下一個(gè)賽點(diǎn)：3nm技術(shù)
臺(tái)積電與三星在3nm技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)，是半導(dǎo)體行業(yè)的一大焦點(diǎn)。以下是對(duì)兩者在3nm技術(shù)賽點(diǎn)上的詳細(xì)分析：一、技術(shù)路徑與進(jìn)展三星三星在3nm技術(shù)上采用了GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)，這是一種比傳統(tǒng)FinFET結(jié)構(gòu)更為先進(jìn)的晶體管設(shè)計(jì)。三星聲稱，與5nm工藝相比，其3nm GAAFET技術(shù)可降低45%的功耗，提高23%的性能，并且表面積減小16%。此......
臺(tái)積電 三星
2020-12-30
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增加索尼 PS5 芯片供應(yīng)，AMD 已獲得臺(tái)積電更多 7nm 產(chǎn)能
增加索尼 PS5 芯片供應(yīng)，AMD 已獲得臺(tái)積電更多 7nm 產(chǎn)能
為了增加索尼PS5的芯片供應(yīng)，AMD確實(shí)已經(jīng)獲得了臺(tái)積電更多的7nm工藝產(chǎn)能。以下是對(duì)此事件的詳細(xì)分析：一、背景介紹索尼PS5作為新一代游戲主機(jī)，在市場(chǎng)上受到了廣泛的關(guān)注和歡迎。然而，由于芯片短缺等供應(yīng)鏈問(wèn)題，PS5的產(chǎn)量一度受到限制，導(dǎo)致市場(chǎng)供不應(yīng)求。為了緩解這一問(wèn)題，AMD作為PS5處理器的供應(yīng)商，積極尋求與臺(tái)積電的合作，以增加芯片供......
PS5芯... 索尼
2020-12-30
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消息稱蘋(píng)果包下臺(tái)積電 3nm 初期產(chǎn)能：用于生產(chǎn) M、A 系列處理器
消息稱蘋(píng)果包下臺(tái)積電 3nm 初期產(chǎn)能：用于生產(chǎn) M、A 系列處理器
OPPO在印度成立海外首個(gè)5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，并計(jì)劃建立相機(jī)實(shí)驗(yàn)室，這一舉措對(duì)OPPO在印度及全球市場(chǎng)的5G和影像技術(shù)發(fā)展具有重要意義。以下是對(duì)此事件的詳細(xì)分析：一、5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室的成立時(shí)間與地點(diǎn)：OPPO于2020年12月22日正式宣布，在印度海德拉巴研發(fā)中心成立5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室。目的與意義：該實(shí)驗(yàn)室著力于在5G互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)下的核心產(chǎn)品技術(shù)研......
系列處理...
2020-12-25
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臺(tái)積電 3nm Plus 工藝將于 2023 年亮相，蘋(píng)果 A17 芯片將是首個(gè)客戶
臺(tái)積電 3nm Plus 工藝將于 2023 年亮相，蘋(píng)果 A17 芯片將是首個(gè)...
臺(tái)積電3nm Plus工藝確實(shí)計(jì)劃于2023年亮相，并且蘋(píng)果A17芯片被預(yù)期為這一工藝的首個(gè)客戶。以下是對(duì)這一信息的詳細(xì)歸納：一、臺(tái)積電3nm Plus工藝計(jì)劃推出時(shí)間：臺(tái)積電計(jì)劃在2023年推出其3nm Plus工藝。這一時(shí)間點(diǎn)是在臺(tái)積電成功量產(chǎn)5nm工藝，并穩(wěn)步推進(jìn)3nm工藝研發(fā)的基礎(chǔ)上確定的。工藝特點(diǎn)：雖然臺(tái)積電沒(méi)有詳細(xì)透露3nm ......
臺(tái)積電
2020-12-22
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晶圓代工產(chǎn)能奇缺！臺(tái)積電也已到極限？下游芯片持續(xù)缺貨漲價(jià)
晶圓代工產(chǎn)能奇缺！臺(tái)積電也已到極限？下游芯片持續(xù)缺貨漲價(jià)
關(guān)于晶圓代工產(chǎn)能奇缺、臺(tái)積電是否已到極限以及下游芯片是否持續(xù)缺貨漲價(jià)的問(wèn)題，以下是對(duì)當(dāng)前情況的詳細(xì)分析：一、晶圓代工產(chǎn)能奇缺晶圓代工產(chǎn)能的奇缺已經(jīng)成為當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)顯著問(wèn)題。這主要是由于近年來(lái)全球?qū)π酒男枨蠹眲≡黾?，特別是在消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域。然而，晶圓廠的擴(kuò)建和產(chǎn)能提升需要時(shí)間和大量的資金投入，導(dǎo)致供給無(wú)法迅速滿足需求。此......
臺(tái)積電
2020-12-22
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臺(tái)積電陳平：超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)
臺(tái)積電陳平：超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)
臺(tái)積電陳平確實(shí)提出了超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)的觀點(diǎn)。以下是對(duì)其觀點(diǎn)的詳細(xì)闡述：一、超微縮技術(shù)超微縮技術(shù)，即傳統(tǒng)工藝制程的微縮，是半導(dǎo)體工藝發(fā)展的重要方向之一。陳平指出，通過(guò)不斷地工藝微縮，可以不斷改進(jìn)芯片的PPA（性能、功耗和面積）。在摩爾定律的推動(dòng)下，晶體管尺寸不斷縮小，從而提高了芯片的集成度和性能。然而，工藝微縮也面臨著諸多挑......
臺(tái)積電
2020-12-18
16
臺(tái)積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝：蘋(píng)果首發(fā)
臺(tái)積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝：蘋(píng)果首發(fā)
臺(tái)積電在2020年宣布，將于2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版，命名為“3nm Plus”，并確認(rèn)蘋(píng)果將作為首發(fā)客戶。以下是關(guān)于這一消息的詳細(xì)分析：一、臺(tái)積電3nm Plus工藝簡(jiǎn)介技術(shù)背景：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，制程工藝的不斷縮小成為提升芯片性能、降低功耗的關(guān)鍵。臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商，一直在積極推動(dòng)制程工藝的進(jìn)步。3nm......
臺(tái)積電
2020-12-18
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外媒：四季度臺(tái)積電 7nm 工藝最大客戶是高通
外媒：四季度臺(tái)積電 7nm 工藝最大客戶是高通
據(jù)外媒報(bào)道，在某一年的第四季度，臺(tái)積電7nm工藝的最大客戶是高通。這一報(bào)道基于當(dāng)時(shí)的市場(chǎng)情況和臺(tái)積電的訂單情況。具體來(lái)說(shuō)，高通當(dāng)時(shí)推出的第二代5G調(diào)制解調(diào)器驍龍X55是由臺(tái)積電采用7nm工藝代工的。而由于蘋(píng)果新推出的iPhone 12系列智能手機(jī)也搭載了這款調(diào)制解調(diào)器，并且銷量可觀，因此對(duì)驍龍X55的需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電需要代工大量的驍龍X5......
臺(tái)積電
2020-12-09
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
臺(tái)積電在2nm工藝上確實(shí)取得了重大突破，并且計(jì)劃在2023年投入試產(chǎn)。以下是對(duì)臺(tái)積電2nm工藝及其相關(guān)信息的詳細(xì)歸納：一、研發(fā)進(jìn)展突破性進(jìn)展：臺(tái)積電在2nm工藝研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，這得益于其采用的創(chuàng)新性多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構(gòu)。該架構(gòu)與3nm和5nm所采用的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）截然不同，解決了FinFET在制程微......
臺(tái)積電
2020-11-19
25
7nm 及 5nm 工藝產(chǎn)能大提升，臺(tái)積電預(yù)計(jì)四季度營(yíng)收有望超出預(yù)期
7nm 及 5nm 工藝產(chǎn)能大提升，臺(tái)積電預(yù)計(jì)四季度營(yíng)收有望超出預(yù)期
臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠，其先進(jìn)制程技術(shù)（如7nm及5nm）的產(chǎn)能提升對(duì)營(yíng)收增長(zhǎng)具有顯著推動(dòng)作用。以下從技術(shù)進(jìn)展、市場(chǎng)需求、財(cái)務(wù)表現(xiàn)及未來(lái)展望四個(gè)維度展開(kāi)分析：一、技術(shù)進(jìn)展與產(chǎn)能提升制程節(jié)點(diǎn)突破7nm及5nm工藝是當(dāng)前臺(tái)積電的核心營(yíng)收來(lái)源，占比超七成。其中，5nm工藝于2020年三季度開(kāi)始量產(chǎn)，2021年貢獻(xiàn)營(yíng)收占比近15%，同比......
臺(tái)積電
2020-11-18
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Digitimes：臺(tái)積電今明年 EUV 交貨 30 臺(tái)起步，穩(wěn)坐 ASML 第一大客戶
Digitimes：臺(tái)積電今明年 EUV 交貨 30 臺(tái)起步，穩(wěn)坐 ASML 第...
臺(tái)積電今明兩年接收超60臺(tái)EUV光刻機(jī)，穩(wěn)坐ASML第一大客戶的說(shuō)法基本符合當(dāng)前產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)，以下為具體分析：臺(tái)積電EUV光刻機(jī)接收計(jì)劃接收數(shù)量臺(tái)積電計(jì)劃在2024年和2025年接收超過(guò)60臺(tái)極紫外光（EUV）光刻機(jī)，其中2024年約30臺(tái)，2025年約35臺(tái)，總投資額超4000億新臺(tái)幣（約合123億美元）。交貨周期與產(chǎn)能規(guī)劃EUV光刻機(jī)供應(yīng)......
臺(tái)積電 ASML
2020-11-16
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臺(tái)積電：Q4不會(huì)向華為出貨，暫不透露許可證的申請(qǐng)狀態(tài)
臺(tái)積電：Q4不會(huì)向華為出貨，暫不透露許可證的申請(qǐng)狀態(tài)
一、事件背景與核心問(wèn)題臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠，其與華為的合作關(guān)系因美國(guó)出口管制政策受到嚴(yán)重影響。2020年美國(guó)政府將華為列入實(shí)體清單，并逐步收緊對(duì)華為的芯片供應(yīng)限制，導(dǎo)致臺(tái)積電無(wú)法繼續(xù)為華為代工先進(jìn)制程芯片。當(dāng)前臺(tái)積電明確表示Q4不會(huì)向華為出貨，且暫不透露許可證申請(qǐng)狀態(tài)，這一事件的核心問(wèn)題在于：技術(shù)封鎖的延續(xù)性：美國(guó)對(duì)華為的限制......
臺(tái)積電
2020-10-19
45
臺(tái)積電：仍在評(píng)估中芯國(guó)際遭遇美國(guó)出口限制的影響
臺(tái)積電：仍在評(píng)估中芯國(guó)際遭遇美國(guó)出口限制的影響
一、事件背景與核心問(wèn)題主體關(guān)聯(lián)性：臺(tái)積電與中芯國(guó)際同為全球晶圓代工龍頭企業(yè)（臺(tái)積電市占率超50%，中芯國(guó)際約6%），且均受美國(guó)出口管制政策影響。臺(tái)積電此次表態(tài)的核心問(wèn)題在于：競(jìng)爭(zhēng)格局變化：中芯國(guó)際若因限制無(wú)法承接部分訂單，臺(tái)積電是否可能受益？技術(shù)生態(tài)風(fēng)險(xiǎn)：美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的限制是否會(huì)擴(kuò)散至臺(tái)積電？供應(yīng)鏈穩(wěn)定性：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)欠褚蛑忻兰夹g(shù)......
中芯國(guó)際 臺(tái)積電
2020-10-19
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韓媒：三星李在镕親征荷蘭 ASML，與臺(tái)積電爭(zhēng)搶 EUV光刻機(jī)設(shè)備
韓媒：三星李在镕親征荷蘭 ASML，與臺(tái)積電爭(zhēng)搶 EUV光刻機(jī)設(shè)備
一、事件核心：三星董事長(zhǎng)李在镕赴ASML總部，爭(zhēng)奪EUV光刻機(jī)優(yōu)先供貨權(quán)事件背景：EUV光刻機(jī)：極紫外光刻機(jī)（Extreme Ultraviolet Lithography）是7nm及以下先進(jìn)制程芯片制造的核心設(shè)備，全球僅荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)；產(chǎn)能稀缺：ASML年產(chǎn)量?jī)H約60臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格超1.5億美元，且需提前2-3年預(yù)訂；競(jìng)爭(zhēng)格局：......
光刻機(jī)設(shè)... 三星 EUV光...
2020-10-19
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