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GAA晶體
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多閘極晶體管指的是集合了多個閘極于一體的金氧半晶體管(MOSFET)?？梢杂靡粋€電極來同時控制多閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。后者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor(MIGFET)。多閘極晶體管被提出為的是克服半導體工業(yè)里摩爾定律(Moore's law)發(fā)展至今體積的縮小已經(jīng)到達物理極限的難題。

首發(fā)GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片
首發(fā)GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片
關于首發(fā)GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片的相關信息，可以歸納如下：一、流片背景在半導體工藝領域，三星與臺積電一直保持著激烈的競爭態(tài)勢。隨著5nm工藝的逐步量產(chǎn)，3nm工藝成為了兩大芯片代工商關注的焦點。為了在這一領域取得領先地位，三星選擇了更為先進的GAA（Gate-All-Around，全環(huán)繞柵極晶體管）技術，而臺積電則繼續(xù)沿用......
GAA晶... 通道場效... GAA工...
2021-07-01
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