本發(fā)明提供了一種電存儲(chǔ)材料與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件,該電存儲(chǔ)材料如式(I)所示,其中,-R為-NO2,鹵原子或-OR1;所述R1為烷基.與現(xiàn)有電存儲(chǔ)材料相比,式(I)所示的電存儲(chǔ)材料為側(cè)鏈聚合物,側(cè)鏈為大共軛平面分子,且該電存儲(chǔ)材料骨架中含有硝基,鹵原子,OR1,偶氮等吸電子基團(tuán),在電場(chǎng)下,側(cè)鏈的共軛平面分子之間由原來(lái)的無(wú)序狀態(tài)向有序狀態(tài)轉(zhuǎn)變,首先實(shí)現(xiàn)OFF-ON1態(tài)的轉(zhuǎn)變,隨著電場(chǎng)繼續(xù)增大,注入的電荷將側(cè)鏈的吸電子基團(tuán)造成的電荷陷阱填滿(mǎn),實(shí)現(xiàn)ON1-ON2態(tài)的轉(zhuǎn)變,因此,該電存儲(chǔ)材料表現(xiàn)出對(duì)應(yīng)于OFF-ON1-ON2三個(gè)導(dǎo)電態(tài)的0,1,2三個(gè)信號(hào)存儲(chǔ)狀態(tài),從而具有三進(jìn)制存儲(chǔ)態(tài).