到目前為止，所有的IGBT設(shè)計(jì)都有一個(gè)共同點(diǎn)平面柵極結(jié)構(gòu)。這種形狀的柵極形成—個(gè)前文所述的JFET結(jié)構(gòu)，以及發(fā)射極區(qū)軟弱的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。對(duì)于平面柵極的IGBT,載流子的濃度從集電極到發(fā)射極之間逐步降低。新一代IGBT的設(shè)計(jì)目標(biāo)是保持載流子濃度均勻分布，最好是逐步增加，這樣可以進(jìn)一步降低通態(tài)損耗，而不會(huì)影響拖尾電流和關(guān)斷損耗，從而導(dǎo)致溝槽型柵極結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)。