可配置靜態(tài)存儲器(SRAM)模塊是現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)的重要組成部分,它必須盡量滿足用戶不同的需要,所以要有良好的可配置性能。本文設(shè)計了一款深亞微米工藝下的4-Kb高速雙端口可配置靜態(tài)存儲器(SRAM),它可以配置為4K×1、2K×2、1K×4、512×8和256×16五種不同的工作模式。基于不同的配置選擇,該SRAM可以配置成單端口SRAM、雙端口SRAM、ROM、FIFO、大規(guī)模查找表或移位寄存器。本文完整的介紹了該SRAM的設(shè)計方法,重點介紹了其架構(gòu)設(shè)計和各功能模塊的設(shè)計實現(xiàn),以及用于實現(xiàn)可配置功能的電路的設(shè)計方法。本文還結(jié)合了目前可配置存儲器模塊的最新發(fā)展,對嵌入在可配置存儲器模塊中的可配置FIFO控制器進(jìn)行了研究。該SRAM的數(shù)據(jù)讀取時間為5.5ns,工作頻率高于100MHz,達(dá)到了較高的性能指標(biāo)。