GaN半導(dǎo)體器件
GaN半導(dǎo)體器件
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今天,基于GaN器件的快充已在消費電子市場站穩(wěn)腳跟。 現(xiàn)在,我們把時間撥回到1928年。一天,Jonason等人合成了一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,也就是GaN??峙庐?dāng)時他們怎么也想不到,在經(jīng)歷了將近一個世紀(jì)不溫不火的狀態(tài)后,今天,GaN這種新型的半導(dǎo)體材料徹底引爆了全球功率器件的革新。 在消費電子市場的成功說明了目前整個GaN行業(yè)的制造工藝和相關(guān)器件的性能得到了充分的驗證。在全球進軍工業(yè)4.0、中國新基建開啟征程的時刻,5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、新能源車及充電樁、光伏電網(wǎng)及特高壓、人工智能、云計算大數(shù)據(jù)中心等,每年要消耗的能源無疑是一個天文數(shù)字,市場急需更高效和更高密度的電源系統(tǒng)。
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