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3D堆疊芯片技術
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3D堆疊技術是利用堆疊技術或通過互連和其他微加工技術在芯片或結構的Z軸方向上形成三維集成，信號連接以及晶圓級，芯片級和硅蓋封裝具有不同的功能。針對包裝和可靠性技術的三維堆疊處理技術。該技術用于微系統(tǒng)集成，是在片上系統(tǒng)（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開發(fā)的先進的系統(tǒng)級封裝制造技術。

英特爾：2025年生產(chǎn)1.8納米芯片
英特爾：2025年生產(chǎn)1.8納米芯片
英特爾計劃在2025年生產(chǎn)1.8納米（18A）芯片，這一計劃是英特爾半導體制程發(fā)展規(guī)劃的重要里程碑。以下是對該計劃的詳細分析：一、計劃背景與進展制程技術規(guī)劃：英特爾CEO Pat Gelsinger上任后，提出了雄心勃勃的半導體制程發(fā)展規(guī)劃，旨在加速技術迭代。根據(jù)規(guī)劃，英特爾計劃在2021年推出7納米、2022年推出4納米、2023年推出......
納米芯片 1/10... 3D堆疊...
2021-08-06
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