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GaN晶體材料
GaN晶體材料
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本發(fā)明公開了一種在HVPE中高速率穩(wěn)定生長GaN晶體材料的方法:將從盛放液態(tài)Ga的Ga舟通入的HCl氣體,在通過本發(fā)明改善的HCl氣體流通途徑時,與金屬Ga充分混合而反應生成GaCl氣體,從液態(tài)Ga的上部液面逸出后,導入生長區(qū)與NH