您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標簽 > 氮化鎵射頻器件
氮化鎵射頻器件
氮化鎵射頻器件
相關文章 : 1篇 瀏覽 : 14次

基于南京電子器件研究所0.5μm GaN HEMT工藝平臺,設計了一款SiC襯底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器.以管芯S參數(shù)和負載牽引測試結果進行匹配電路設計,采用雙胞55 mm GaN管芯實現(xiàn)大功率輸出.功率放大器內(nèi)部采用預匹配網(wǎng)絡設計,外部匹配網(wǎng)絡采用多級高低阻抗微帶線結構.該功率放大器在1.2~1.4 GHz頻帶內(nèi),漏電壓60 V,脈沖寬度100μs,占空比10%測試條件下,輸出功率達到1.1 kW,功率增益大于15.5 dB,功率附加效率大于70%.

國產(chǎn)半導體設備新勢力稷以科技完成數(shù)千萬融資，打造化合物特色設備龍頭
國產(chǎn)半導體設備新勢力稷以科技完成數(shù)千萬融資，打造化合物特色設備龍頭
　　國產(chǎn)半導體設備新勢力稷以科技完成數(shù)千萬融資，這一消息顯示了國產(chǎn)半導體設備行業(yè)的蓬勃發(fā)展和創(chuàng)新活力。以下是關于稷以科技此次融資及其發(fā)展的詳細分析：　　一、融資概況　　融資金額：稷以科技完成了數(shù)千萬元的融資，具體金額雖未詳細披露，但足以支持其進一步的技術研發(fā)和市場拓展?！　⊥顿Y方：本輪融資由業(yè)內(nèi)知名投資機構參與，包括中芯聚源、元禾璞華以及......
氮化鎵射... 去膠設備 5G射頻
2021-08-19
14