兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅(qū)動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產(chǎn)生一個兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級有一路還是兩路輸出，可實現(xiàn)具有一個或兩個柵極電阻（導通，關(guān)斷）的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。 保護IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導通開關(guān)速度只能提高到一個與所用續(xù)流二極管反向恢復特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設計和優(yōu)化的帶軟恢復功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導通電流小