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低隔離電容
低隔離電容
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減小在硅襯底上形成的電容的方法.電容具有做在硅襯底表面上的二氧化硅層作為其介質材料.該方法包括將氫原子引入所述表面一部分的步驟,以增大該表面部分的介電常數(shù),增加介質材料的有效厚度因此降低所述電容.該方法包括形成厚度大于2nm的二氧化硅層的步驟.

金升陽重磅推出芯片級隔離電源產(chǎn)品B0505ST16－W5
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金升陽重磅推出的芯片級隔離電源產(chǎn)品B0505ST16-W5，是一款集高性能、高可靠性和廣泛應用性于一體的電源產(chǎn)品。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：一、產(chǎn)品概述B0505ST16-W5是金升陽公司基于當前芯片集成化大趨勢而推出的一款芯片級隔離電源產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用新一代自主研發(fā)技術，內部電路技術和電氣性能都有質的提升，主要面向高端芯片應用，為汽車電......
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2021-08-23
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