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高帶寬存儲(chǔ)器
高帶寬存儲(chǔ)器
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高帶寬存儲(chǔ)器(High Bandwidth Memory,HBM)是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備(如路由器、交換器)等。首個(gè)使用HBM的設(shè)備是AMD Radeon Fury系列顯示核心。2013年10月HBM成為了JEDEC通過(guò)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),第二代HBM —— HBM2,也于2016年1月成為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),NVIDIA在該年發(fā)表的新款旗艦型Tesla運(yùn)算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也采用了HBM2。