量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)技術(shù)是QDIP研究的基礎(chǔ)。低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的發(fā)展很大程度上依賴于材料先進(jìn)生長(zhǎng)技術(shù)（分子束外延技術(shù)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積技術(shù)等）和精細(xì)加工工藝（聚焦電子、離子束和X射線光刻技術(shù)等）的進(jìn)步。上個(gè)世紀(jì)90年代，人們開(kāi)發(fā)了無(wú)損傷的低維半導(dǎo)體材料的制備方法，就是利用不同材料的晶格失配而產(chǎn)生的應(yīng)力，通過(guò)Stranski-Krastanow(S-K)生長(zhǎng)模式來(lái)獲得無(wú)缺陷、無(wú)位錯(cuò)和尺寸均勻的量子點(diǎn)，即所謂的自組織生長(zhǎng)量子點(diǎn)的方法。