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SiC驅(qū)動器
SiC驅(qū)動器
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SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的開關速度和更高的結(jié)溫工作能力,有利于減小永磁同步電動機(PMSM)驅(qū)動器的開關損耗,縮短死區(qū)時間和提高開關頻率.針對1kW PMSM,對功率器件分別采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驅(qū)動器進行了功率損耗計算分析,并對死區(qū)效應的影響進行了闡述和仿真分析.設計制作了基于兩種功率器件的PMSM驅(qū)動器,對損耗,效率,散熱器溫升以及低速下死區(qū)效應的影響進行了實驗對比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驅(qū)動系統(tǒng)獲得更高的效率,功率密度和更好的動態(tài)性能.

意法半導體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器采用窄型 SO－8 封裝可節(jié)省空間
意法半導體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器采用窄型 SO－8 封裝可節(jié)省空間
意法半導體的穩(wěn)健的隔離式SiC柵極驅(qū)動器，如STGAP2SiCSN，確實采用了窄型SO-8封裝，這種設計顯著節(jié)省了空間，并增強了設備的穩(wěn)健性和可靠性。以下是對該產(chǎn)品的詳細分析：一、產(chǎn)品概述意法半導體的STGAP2SiCSN是為控制碳化硅（SiC）MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。該驅(qū)動器通過采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，不僅實現(xiàn)了緊......
電動汽車... SiC驅(qū)... 高壓功率...
2021-10-21
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