本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超級(jí)結(jié)晶體管及其形成方法。背景技術(shù)超級(jí)結(jié)（SuperJunction）結(jié)構(gòu)是一種由一系列交替排列的P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，而超級(jí)結(jié)MOS晶體管既是基于該超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的一種半導(dǎo)體功率器件。所述超級(jí)結(jié)MOS晶體管是在垂直雙擴(kuò)散MOS（VDMOS，VerticalDouble-DiffusedMOS）晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，除了具備所述垂直雙擴(kuò)散MOS晶體管所具有的優(yōu)點(diǎn)之外，所述超級(jí)結(jié)MOS晶體管還具有導(dǎo)通電阻（Rdson）低、擊穿電壓（BV，...