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電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器
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一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器控制裝置,包括:整流電路,將交流電源整流;逆變器電路,由該整流電路的輸出驅(qū)動(dòng);電機(jī),由該逆變器電路的輸出驅(qū)動(dòng);第一電容器,與整流電路的輸出并聯(lián)連接;以及第二電容器,經(jīng)由二極管與該第一電容器并聯(lián)連接.這里,第二電容器與第一電容器相比,設(shè)為大于等于3倍的電容,盡管通常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的脈動(dòng)含有率為大于等于90%,也良好地吸收電機(jī)的再生能量,從而防止過電壓引起的元件的劣化,同時(shí)實(shí)現(xiàn)裝置的小型化和低價(jià)格.

EPC GaN IC簡(jiǎn)化并縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
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PC的GaN IC在簡(jiǎn)化并縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方面起到了顯著的作用。以下是關(guān)于EPC GaN IC在電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)的具體分析：提高集成度：EPC的GaN IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了功率器件與柵極驅(qū)動(dòng)器邏輯的集成，如EPC23101 IC，它集成了輸入邏輯接口、電平轉(zhuǎn)換、自舉充電和柵極驅(qū)動(dòng)緩沖電路等功能。這種高度的集成度減少了所需的外部組件數(shù)......
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基于GaN（氮化鎵）的參考設(shè)計(jì)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的應(yīng)用，確實(shí)有助于顯著縮小驅(qū)動(dòng)器的尺寸并提高性能。以下是關(guān)于這一點(diǎn)的詳細(xì)解釋和歸納：GaN技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：GaN高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）與硅MOSFET相比，具有更低的驅(qū)動(dòng)損耗和更短的死區(qū)時(shí)間電路優(yōu)勢(shì)。這主要得益于GaN HEMT的柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）的顯著降低。G......
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從制造業(yè)到創(chuàng)造業(yè)，尼吉康在電子元件領(lǐng)域不斷推出新品，并在中國市場(chǎng)加強(qiáng)制造能力，特別是在薄膜電容和新型電池方面取得了顯著進(jìn)展。以下是對(duì)尼吉康新品與薄膜電容的中國制造的詳細(xì)分析：一、尼吉康新品介紹1. 小型鋰離子可充電電池（SLB系列）產(chǎn)品特點(diǎn)：SLB電池是一個(gè)功率密度和能量密度介于EDLC（超級(jí)電容）與鋰離子二次電池之間的產(chǎn)品。它在同樣體積......
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