對(duì)先進(jìn)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的領(lǐng)域，它直接影響到DRAM的性能、穩(wěn)定性和可靠性。有源區(qū)是半導(dǎo)體器件中用于形成導(dǎo)電溝道的區(qū)域，其形狀和尺寸對(duì)于器件的電氣特性至關(guān)重要。在先進(jìn)DRAM工藝中，隨著特征尺寸的不斷縮小，有源區(qū)形狀扭曲問題變得尤為突出。以下是對(duì)該問題的詳細(xì)分析和研究思路：1.問題背景......