碳化硅二極管反向恢復(fù)時(shí)間受多種因素的影響，以下是一些主要因素：材料特性：碳化硅材料具有高硬度、高導(dǎo)熱性等特點(diǎn)，這些特性直接決定了二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。碳化硅材料內(nèi)部的缺陷和雜質(zhì)也會(huì)對(duì)反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生影響，缺陷和雜質(zhì)可能導(dǎo)致載流子的復(fù)合和漂移過程受阻，從而延長反向恢復(fù)時(shí)間。工作條件：溫度是影響碳化硅二極管反向恢復(fù)時(shí)間的重要因素。隨著溫度的升......

碳化硅二極管（SiC Diode）的反向恢復(fù)時(shí)間通常非常短，這是其相較于傳統(tǒng)硅二極管的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)。具體來說，碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般小于20納秒（ns），甚至在某些高性能產(chǎn)品中，600V/10A的碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間可以小于10ns。碳化硅二極管之所以具有如此短的反向恢復(fù)時(shí)間，是因?yàn)槠鋯螛O器件的特性使得在正向?qū)щ姞顟B(tài)切換到反......