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雪崩擊穿
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雪崩擊穿和齊納擊穿有什么區(qū)別？
雪崩擊穿和齊納擊穿有什么區(qū)別？
雪崩擊穿和齊納擊穿是兩種不同的半導體器件擊穿現象，它們在多個方面存在明顯的區(qū)別。以下是雪崩擊穿和齊納擊穿的主要區(qū)別：擊穿原理：雪崩擊穿：在高反向偏置電壓下，當電場強度足夠強時，少量自由載流子會產生二次沖擊，形成雪崩效應，導致電流急劇增加。這是載流子倍增效應的結果，即一個載流子在電場作用下漂移單位距離時，能夠產生多個電子-空穴對。齊納擊穿：......
雪崩擊穿
2025-02-24
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反向擊穿和雪崩擊穿哪個更常見
反向擊穿和雪崩擊穿哪個更常見
反向擊穿和雪崩擊穿在半導體器件中的常見程度取決于多種因素，包括PN結的摻雜濃度、材料性質、工作溫度以及外加電壓等。以下是對這兩種擊穿現象常見程度的詳細分析：反向擊穿定義：反向擊穿是PN結在反向偏置狀態(tài)下，當外加反向電壓增加到一定程度時，PN結的電流會突然激增的現象。常見性：反向擊穿是半導體器件中一種普遍存在的現象。只要PN結處于反向偏置，......
反向擊穿
2024-10-14
30
反向擊穿和雪崩擊穿有什么區(qū)別
反向擊穿和雪崩擊穿有什么區(qū)別
反向擊穿和雪崩擊穿在半導體物理學中是兩個不同的概念，它們之間存在明顯的區(qū)別。以下是對這兩個概念的詳細比較：一、定義與機理反向擊穿：定義：當PN結處于反向偏置時，如果外加的反向電壓增加到一定程度，PN結的電流會突然激增，這種現象稱為反向擊穿。機理：反向擊穿是PN結在強電場作用下的非線性導電現象。當反向電壓足夠大時，PN結內部的電場強度達到臨......
反向擊穿
2024-10-14
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