一、引言　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器件始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)器件不僅需要滿足高速讀寫、低功耗以及高集成度等要求，同時(shí)還要求在斷電后能夠長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，這就催生了非易失性存儲(chǔ)器（Nonvolatile Memory, NVM）的不斷發(fā)展。DS1245Y 1024k非易失SRAM正是在這種背景下出現(xiàn)的一款具......

　　一、產(chǎn)品概述　　DS1245AB 1024K非易失SRAM是一款融合了高性能、低功耗、非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)新型存儲(chǔ)芯片。該產(chǎn)品集成了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）與非易失性存儲(chǔ)功能，在斷電狀態(tài)下能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，既滿足高速數(shù)據(jù)訪問的要求，又提供斷電保護(hù)機(jī)制。由于其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和可靠性，在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中被廣泛應(yīng)用于通訊、計(jì)算機(jī)、工......

　　一、產(chǎn)品概述與背景　　DS1345W是一款專為高端嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的3.3V非易失性SRAM芯片，內(nèi)置高達(dá)1024k的存儲(chǔ)容量，支持?jǐn)?shù)據(jù)在斷電狀態(tài)下保持不丟失。這款芯片除了采用先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)和高可靠性制造工藝外，還集成了電池監(jiān)測(cè)器功能，可以實(shí)時(shí)檢測(cè)外部備用電池的狀態(tài)，從而保障系統(tǒng)在電源切換或電壓不足情況下穩(wěn)定運(yùn)行?！　≡谇度胧较到y(tǒng)、工......

1. 概述DS1245W是一款由Maxim Integrated（現(xiàn)為Analog Devices的一部分）推出的3.3V 1024k（1Mbit）非易失性SRAM（NVSRAM）。它在掉電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，不需要外部電池支持，廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)記錄儀和通信設(shè)備等領(lǐng)域。DS1245W采用SRAM和非易失存儲(chǔ)技術(shù)結(jié)合的方式，......

　　產(chǎn)品概述　　DS1345Y是一款具有1024K容量的非易失性SRAM芯片，其獨(dú)特之處在于內(nèi)部集成了電池監(jiān)測(cè)器，為系統(tǒng)提供了可靠的電源管理能力。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，具有高速度、低功耗和超高可靠性等特點(diǎn)，在現(xiàn)代電子設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及需要數(shù)據(jù)保持的特殊應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。DS1345Y主要面向工業(yè)自動(dòng)化、通信、汽車電子以及醫(yī)療設(shè)......