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強茂擁有半導體上下游整合與自有核心技術的優(yōu)勢，主要從事整流二極管、功率半導體、突波抑制器等分離式組件產品的生產；搭配洞察市場趨勢的觀察力，不斷推出符合市場需求的薄型化封裝。

PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管的介紹、特性、及應用

PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管的介紹、特性、及應用 PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管具有平面模具結構，是自動化組裝過程的理想選擇。DFN1006-2L封裝二極管工作溫度范圍為-55°C至+150°C，最大標稱齊納電壓范圍為4.10V至49.35V。PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管在+25°C時提供250mW最大峰值脈沖功耗，在10mA時提供0.9V最大正向電壓。...

10 2024-04

PANJIT SS2030DSN表面貼裝肖特基勢壘整流器的介紹、特性、及應用

PANJIT SS2030DSN表面貼裝肖特基勢壘整流器的介紹、特性、及應用 PANJIT SS2030DSN表面安裝肖特基勢壘整流器具有高浪涌電流能力和低正向電壓/漏電流，采用DSN1608-2L封裝，高度小于0.31mm。SS2030DSN工作在-55°C至+150°C的溫度范圍內，最大重復峰值反向電壓30V，最大平均正向電流2A。典型的正向電壓范圍為0.25V至0.36V。特性高度小于0.31mm的芯片級封裝...

17 2024-04

PANJIT PTGH高速650V場停止壕igbt的介紹、特性、及應用

PANJIT PTGH高速650V場停止壕igbt的介紹、特性、及應用 PANJIT PTGH高速650V場停止溝槽igbt在T(VJ) +25°C時具有1.65V的低飽和電壓，具有卓越的高速開關能力。PANJIT PTGH igbt與低Q(rr)和軟恢復二極管共封裝。igbt的最高結溫為T(VJ) +175°C，確保了高效的性能。這些設備的設計保證了苛刻條件下的可靠性。一個正系數(shù)V(CEsat)可以方便地并...

18 2024-04

PANJIT PJMBZ ESD保護二極管的介紹、特性、及應用

PANJIT PJMBZ ESD保護二極管的介紹、特性、及應用 PANJIT PJMBZ ESD保護二極管設計用于保護敏感設備免受ESD影響并防止閉鎖事件。這些二極管是雙齊納ESD/瞬態(tài)保護器，具有公共陰極，典型的反向擊穿電壓范圍為5.6V至33V。雙器件的組合在單個封裝中保護多達兩條數(shù)據(jù)線，提供額外的電路板空間。PJMBZ ESD保護二極管可用于汽車級，主要用于CAN和LIN總線。這些PJMBZ T...

10 2024-02

PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器的介紹、特性、及應用

PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器的介紹、特性、及應用 PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器將交流(AC)電壓轉換為直流(DC)電壓。S5xB采用SMB封裝，穩(wěn)定性強，可靠性高，漏電流小。整流器是無鉛的，符合歐盟RoHS 2.0，并具有符合IEC 61249標準的綠色成型化合物。S5xB器件廣泛應用于5A電流的各種設備，包括電源、逆變器、轉換器、監(jiān)視器和其他電子設備。特性低正向電壓，大電流...

6 2024-01

PANJIT 40V增強模式mosfet的介紹、特性、及應用

PANJIT 40V增強模式mosfet的介紹、特性、及應用　　PANJIT 40V增強模式mosfet是低壓mosfet，導通電阻低于1歐姆。這些低壓mosfet符合AEC-Q101標準，通常用于汽車級設備。40V增強模式mosfet是無鉛的，符合歐盟RoHS 2.0。典型的應用包括低功耗系統(tǒng)產品，如筆記本電腦、PC主板、平板電腦和其他便攜式消費產品?！　√匦浴　?0V低壓mosfet　　A...

27 2023-07

PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢壘二極管的介紹、特性、及應用

PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢壘二極管的介紹、特性、及應用　　PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)是為電氣工程師設計具有更低散熱的高性能系統(tǒng)而開發(fā)的?？焖倩謴投O管(FRD)在關斷操作時有一些反向恢復電流，在主開關打開時產生額外的開關損失。相比之下，肖特基勢壘二極管沒有反向恢復電流，因此它可以在更高的開關頻率下使用，但它的缺點是由于更高的漏電而導致較低的擊穿電壓。S...

21 2023-06

第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉換器的介紹、特性、及應用

第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉換器的介紹、特性、及應用　　PANJIT的第二代屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET具有優(yōu)異的性能系數(shù)(FOM)質量，為磚型模塊中的DC/DC變換器拓撲提供了高效的設計解決方案。該100v SGT系列提供18個標準和17個邏輯級部件。PANJIT的晶圓技術使第2代SGT mosfet能夠產生低柵電荷和R(DS(ON))，以最大限度地減少傳導損耗，并創(chuàng)建優(yōu)秀的...

16 2023-03

PANJIT n通道增強模式mosfet的介紹、特性、及應用

PANJIT n通道增強模式mosfet的介紹、特性、及應用 PANJIT的n通道增強模式MOSFET是一種高性能的半導體器件，用于電子開關和電流調節(jié)等應用。這種MOSFET在AEC-Q101合格的封裝中提供，確保了其在汽車電子等應用中的可靠性和穩(wěn)定性。特性低反向傳輸電容：PANJIT的n通道增強模式MOSFET在DFN5060-8L封裝中提供了低反向傳輸電容，這有助于減少開關過程中的能量損失和噪聲...

13 2022-11

PANJIT 650V n通道超級結mosfet的介紹、特性、及應用

PANJIT 650V n通道超級結mosfet的介紹、特性、及應用 PANJIT 650V N通道超級結MOSFET是一款高性能的半導體器件，專為高電壓、高效率的功率轉換應用而設計。以下是對其介紹、特性及應用的詳細歸納：介紹PANJIT的650V N通道超級結MOSFET采用了先進的超級結（Super Junction）技術，該技術通過優(yōu)化PN結的結構，實現(xiàn)了更低的導通電阻（Rdson）和更高的開關效率。...

12 2022-05

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