原標(biāo)題：ASML 將于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防護(hù)膜，提高光刻機(jī)效率

ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography）確實曾計劃在某一時期推出透光率超過90%的EUV（極紫外）防護(hù)膜，以提高光刻機(jī)的效率。以下是對此事的詳細(xì)歸納：

一、防護(hù)膜的特性與用途

• 透光率：ASML計劃推出的這款EUV防護(hù)膜透光率可達(dá)90.6%，相較于之前版本的防護(hù)膜（透光率約78%），這是一個顯著的提升。

• 用途：此防護(hù)膜主要用于安裝在EUV光路和晶圓制造空間之間，主要功能是防塵，以保護(hù)光刻機(jī)內(nèi)部組件免受污染。

二、研發(fā)背景與市場需求

• 技術(shù)挑戰(zhàn)：EUV光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝之一，但由于EUV光線的特殊性質(zhì)（難以被反射和折射），制造過程中的損耗率非常大。因此，提高防護(hù)膜的透光率成為了一個重要的技術(shù)挑戰(zhàn)。

• 市場需求：三星和臺積電等半導(dǎo)體制造巨頭對高透光率的防護(hù)膜有迫切需求，因為使用這種防護(hù)膜可以提高生產(chǎn)效率，并降低晶圓表面被污染的風(fēng)險。他們曾表示，只有當(dāng)防護(hù)膜的透光率超過90%時，才會考慮將其應(yīng)用到生產(chǎn)線上。

三、研發(fā)與生產(chǎn)計劃

• 研發(fā)合作：這款防護(hù)膜是ASML與Teradyne（泰瑞達(dá)）聯(lián)合研發(fā)的，由日本三井化學(xué)代工生產(chǎn)。該防護(hù)膜已經(jīng)通過了400瓦的測試，證明了其在實際應(yīng)用中的可靠性。

• 生產(chǎn)計劃：ASML曾計劃在某一時期開始生產(chǎn)這款高透光率的EUV防護(hù)膜，以滿足市場需求。

四、對光刻機(jī)效率的影響

• 效率提升：高透光率的防護(hù)膜能夠減少EUV光線在傳輸過程中的損耗，從而提高光刻機(jī)的效率。這有助于半導(dǎo)體制造商提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。

• 技術(shù)革新：隨著EUV光刻技術(shù)的不斷發(fā)展，高透光率的防護(hù)膜將成為未來光刻機(jī)的重要組成部分。ASML的這一創(chuàng)新將推動整個半導(dǎo)體制造行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。

然而，需要注意的是，雖然ASML曾計劃推出這款高透光率的EUV防護(hù)膜，但具體的推出時間和市場應(yīng)用情況可能因各種因素而有所變化。因此，在獲取最新信息時，建議直接參考ASML的官方公告或相關(guān)報道。

此外，ASML還在不斷研發(fā)新一代的光刻機(jī)技術(shù)，如NA EUV光刻機(jī)，以支持更小尺寸的芯片制造。這些新技術(shù)的推出將進(jìn)一步推動半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。