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三星推 8nm 射頻芯片制程,搶攻 5G 領域

來源: 中電網(wǎng)
2021-06-16
類別:業(yè)界動態(tài)
eye 11
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:三星推 8nm 射頻芯片制程,搶攻 5G 領域

三星推出的8nm射頻芯片制程技術,是其搶攻5G領域的重要戰(zhàn)略舉措。以下是對該技術的詳細分析:

一、技術背景與特點

  1. 技術名稱:8nm射頻(RF)芯片制程技術,命名為RFextremeFET(RFeFET?)。

  2. 技術特點

    • 三星開發(fā)了一種獨特的8nm射頻專用架構RFeFET?,可以顯著改善射頻特性,同時使用更少的功率。

    • 與14nm RF相比,RFeFET?補充了數(shù)字PPA縮放并同時恢復了模擬/RF縮放,從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。

    • 新的8nm RF芯片可提高35%的效率且減少35%的面積。

二、市場定位與應用

  1. 市場定位:三星的8nm射頻芯片制程技術旨在強化5G通信芯片的解決方案,提供“單芯片解決方案”(One Chip Solution),專門用于支持多通道和多天線芯片設計的5G通信。

  2. 應用領域:該技術將廣泛應用于5G智能手機、基站、物聯(lián)網(wǎng)設備等,滿足這些設備對高性能、低功耗射頻芯片的需求。

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三、技術優(yōu)勢與競爭力

  1. 技術優(yōu)勢

    • 三星通過RFeFET?架構創(chuàng)新,實現(xiàn)了射頻芯片性能的大幅提升,同時減小了芯片面積和功耗。

    • 該技術還支持數(shù)字PPA縮放和模擬/RF縮放,為5G平臺提供了更高的性能和靈活性。

  2. 競爭力

    • 三星在射頻芯片代工市場擁有一定的市場份額和競爭力,8nm射頻芯片制程技術的推出將進一步鞏固其市場地位。

    • 與臺積電等競爭對手相比,三星的8nm射頻芯片制程技術在性能和功耗方面具有一定的優(yōu)勢。

四、對產(chǎn)業(yè)的影響

  1. 推動5G發(fā)展:三星的8nm射頻芯片制程技術將促進5G技術的普及和發(fā)展,為5G設備提供更高效、更可靠的射頻解決方案。

  2. 提升產(chǎn)業(yè)競爭力:該技術的推出將提升三星在半導體行業(yè)的競爭力,同時也將推動整個射頻芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新。

五、總結

三星推出的8nm射頻芯片制程技術是其搶攻5G領域的重要戰(zhàn)略舉措。該技術具有顯著的性能提升和功耗降低優(yōu)勢,將廣泛應用于5G設備中。同時,該技術的推出也將提升三星在半導體行業(yè)的競爭力,推動整個射頻芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新。


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