原標(biāo)題：三星：正在開(kāi)發(fā) 8 層 TSV 的 DDR5 內(nèi)存模塊，容量達(dá) DDR4 兩倍

三星確實(shí)在積極開(kāi)發(fā)具有8層TSV（直通硅通孔）的DDR5內(nèi)存模塊，這一技術(shù)在內(nèi)存容量和性能上相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。以下是對(duì)這一技術(shù)開(kāi)發(fā)的詳細(xì)解讀：

一、技術(shù)特點(diǎn)

• 8層TSV設(shè)計(jì)：三星的DDR5內(nèi)存模塊采用了8層TSV設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)使得內(nèi)存模塊的容量能夠達(dá)到DDR4內(nèi)存的兩倍。這意味著，在理論上，單條DDR5內(nèi)存模塊的容量可以達(dá)到非常高的水平，如512GB。

• 高度降低與散熱優(yōu)化：通過(guò)優(yōu)化封裝技術(shù)，三星的DDR5內(nèi)存模塊在高度上比傳統(tǒng)的DDR4 4層內(nèi)存更低。同時(shí)，由于管芯之間的間隙減少了40%以及采用了薄晶圓處理技術(shù)，這些內(nèi)存模塊不僅體積更緊湊，還提供了更好的散熱性能。

二、性能提升

• 性能與帶寬提升：三星預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存將提供比DDR4提升85%的性能，帶寬高達(dá)7.2 Gbps，這對(duì)于需要高速數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)景（如超級(jí)計(jì)算機(jī)、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)）來(lái)說(shuō)，是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。

• 電壓降低與能效提升：DDR5內(nèi)存模塊采用了更低的1.1V電壓，這有助于提高電源效率，降低整體能耗。

三、市場(chǎng)應(yīng)用與前景

• 企業(yè)級(jí)市場(chǎng)：三星表示，這款DDR5內(nèi)存模塊專(zhuān)為服務(wù)器和企業(yè)使用而設(shè)計(jì)，因此其售價(jià)可能會(huì)高于消費(fèi)級(jí)內(nèi)存。盡管如此，它仍然有望在數(shù)據(jù)中心和高端服務(wù)器市場(chǎng)中得到廣泛應(yīng)用。

• 量產(chǎn)計(jì)劃與時(shí)間表：三星預(yù)計(jì)將在2023/2024年向主流市場(chǎng)提供DDR5內(nèi)存，而數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的產(chǎn)品將更快推出，計(jì)劃在今年（原文發(fā)布時(shí)間為2021年，因此“今年”指的是2021年或稍后的年份）年底前生產(chǎn)512GB內(nèi)存模塊。此外，三星還透露了未來(lái)推出TB容量版本的計(jì)劃。

四、技術(shù)細(xì)節(jié)

• DRAM單片顆粒：三星在該內(nèi)存產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了“Same-Bank”技術(shù)，DRAM單片顆粒的高度僅為1mm，通過(guò)堆疊20片實(shí)現(xiàn)了512GB的容量。這種設(shè)計(jì)不僅提高了容量，還使得總線效率提高了約10%。

• 標(biāo)準(zhǔn)與時(shí)序：三星DDR5內(nèi)存采用標(biāo)準(zhǔn)JEDEC DDR5-7200時(shí)序，頻率最高可達(dá)7200MHz。同時(shí)，它還采用了全新的決策反饋均衡器，有助于提高信號(hào)穩(wěn)定性。

綜上所述，三星正在開(kāi)發(fā)的8層TSV DDR5內(nèi)存模塊在容量、性能和能效等方面均表現(xiàn)出色，有望在未來(lái)成為數(shù)據(jù)中心和高端服務(wù)器市場(chǎng)的主流選擇。