產(chǎn)品分類
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個(gè)全橋和一個(gè)熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預(yù)應(yīng)用熱接口材料(TIM)和不預(yù)應(yīng)用TIM選項(xiàng)。這些模塊理想地用于太陽(yáng)能逆變器，不間斷電源，電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電源。NXH0x0F120MNF1模塊為無(wú)鉛、無(wú)鹵化物、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這些模塊的存儲(chǔ)溫度范圍為-40°C至150°C，工作結(jié)溫度范圍為-40°C至175°C。
特性
40m/1200V SiC MOSFET半橋(NXH040F120MNF1)
20m/1200V SiC MOSFET半橋(NXH020F120MNF1)
熱敏電阻
壓配合針
有預(yù)應(yīng)用熱界面材料(TIM)和不預(yù)應(yīng)用熱界面材料的選項(xiàng)
該產(chǎn)品不含鉛、鹵化物，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
規(guī)范
-40℃~ 150℃的存儲(chǔ)溫度范圍
-40℃的最低工作結(jié)溫度
最高工作結(jié)溫度175°C
-40°C至175°C的模塊工作結(jié)溫度
應(yīng)用程序
太陽(yáng)能逆變器
不間斷電源
電動(dòng)汽車充電站
工業(yè)強(qiáng)國(guó)
原理圖
責(zé)任編輯：David
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