目前，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）相較于鐵電存儲器（FRAM）使用得更為廣泛。以下是對兩者使用廣泛性的詳細分析：

一、市場占有與應用領域

1. DRAM：

• 作為半導體存儲器的第一大產(chǎn)品，DRAM市場空間巨大，廣泛應用于計算機主內(nèi)存、服務器、智能手機、數(shù)碼相機、便攜式電子設備等領域。

• 隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速和新興應用場景的不斷涌現(xiàn)，如數(shù)據(jù)中心、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等，DRAM存儲器的需求持續(xù)增長。

• 特別是在移動設備領域，DRAM因其讀寫速度快、容量大且成本相對較低的優(yōu)勢，成為智能手機、平板電腦等設備的首選存儲器。

2. 鐵電存儲器（FRAM）：

• 盡管鐵電存儲器具有非易失性、讀寫速度快、低功耗等優(yōu)點，但其市場占有率相對較低。

• 目前，鐵電存儲器主要應用于醫(yī)療設備、網(wǎng)絡服務設備、汽車電子、航空航天、工業(yè)控制以及智能制造等領域。

• 在智能家電、消費電子等便攜式設備中，鐵電存儲器的應用也在逐漸增加，但相較于DRAM來說，其市場份額仍然較小。

二、技術成熟度與生產(chǎn)成本

1. DRAM：

• DRAM技術已經(jīng)非常成熟，且生產(chǎn)成本相對較低，這使得DRAM在市場上具有更高的競爭力。

• 隨著制程技術的不斷突破和產(chǎn)能布局的不斷優(yōu)化，DRAM的性能和成本將得到進一步提升，滿足市場對高性能、大容量存儲器的需求。

2. 鐵電存儲器（FRAM）：

• 鐵電存儲器技術相對較新，且生產(chǎn)成本較高，這限制了其在市場上的廣泛應用。

• 不過，隨著技術的不斷進步和產(chǎn)量的增加，鐵電存儲器的生產(chǎn)成本有望逐漸降低，從而提高其市場競爭力。

三、發(fā)展趨勢與未來展望

1. DRAM：

• 未來幾年，DRAM市場將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長，技術創(chuàng)新和市場需求是推動行業(yè)發(fā)展的主要動力。

• 中國DRAM市場在政策支持和技術進步的推動下，有望實現(xiàn)快速發(fā)展。

2. 鐵電存儲器（FRAM）：

• 隨著5G、人工智能等信息技術的不斷進步，鐵電存儲器的應用領域?qū)⒅饾u拓寬，市場需求將逐漸增長。

• 預計未來鐵電存儲器市場規(guī)模將持續(xù)擴大，但相較于DRAM來說，其增長速度可能較慢。

綜上所述，目前DRAM相較于鐵電存儲器使用得更為廣泛。然而，隨著技術的不斷進步和市場的不斷發(fā)展，鐵電存儲器有望在未來占據(jù)更大的市場份額。