東芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是針對高效率電源應(yīng)用需求設(shè)計的一款先進(jìn)功率器件。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，具有更優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)性能，特別適用于需要高效率、高功率密度和高溫運行的場景。核心優(yōu)勢與特性低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻顯著低于硅基IGBT或MOSFET，這意味......

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電力電子的核心器件，其性能直接決定電路的效率、速度和可靠性。以下從電氣特性、動態(tài)參數(shù)、熱特性及可靠性指標(biāo)四個維度，全面解析MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)及其應(yīng)用影響。一、電氣特性指標(biāo)導(dǎo)通電阻（Rds(on)）采用更先進(jìn)的工藝（如SiC、GaN）降低Rds(on)。增大芯片面積（但會增加成本和封裝尺......

一、產(chǎn)品核心定位：高密度PCB設(shè)計的理想選擇Nexperia推出的超微型MOSFET（如PMV10XNER系列）專為便攜式電子設(shè)備、可穿戴設(shè)備及高密度PCB應(yīng)用優(yōu)化，解決以下行業(yè)痛點：空間限制：智能手機、TWS耳機等設(shè)備內(nèi)部空間極度緊湊，需縮小元件尺寸；能效需求：低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）可降低功耗，延長電池續(xù)航；熱管理：小封裝需兼顧散......

碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其材料特性與器件設(shè)計優(yōu)勢，在電動汽車（EV）、工業(yè)電源、光伏逆變器等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著性能提升。以下從技術(shù)原理、性能對比、應(yīng)用場景及未來趨勢展開分析。一、SiC MOSFET的核心技術(shù)優(yōu)勢材料特性突破寬禁帶寬度（3.26eV）：相比硅（Si）的1.12eV，SiC可承受更高電場強......

2020年8月19日，專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布與Amphenol i2s簽訂全球分銷協(xié)議。此次合作旨在通過分銷Amphenol i2s的智能傳感器解決方案，進(jìn)一步擴(kuò)充貿(mào)澤電子的傳感器產(chǎn)品線，滿足客戶對高精度、高可靠性傳感器的需求。Amphenol i2s傳感器產(chǎn)品線......

微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司位于中國臺灣新竹，是一家集MOSFETs（場效應(yīng)管），晶圓開發(fā)設(shè)計、封裝測試、銷售服務(wù)、技術(shù)支持為一體的半導(dǎo)體企業(yè)，深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司是集團(tuán)的運營、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)管理中心。 微碧半導(dǎo)體擁有自主品牌“VBsemi“，還可為客戶調(diào)整MOSFET參數(shù)，提供量身定制服務(wù)。VBsemi致力于為客戶提供專業(yè)、全面......