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MOSFET
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SJ－MOS技術(shù)加成，維安全新MOSFET讓Rdson更低
SJ－MOS技術(shù)加成，維安全新MOSFET讓Rdson更低
SJ-MOS（Super Junction-MOS）技術(shù)是一種先進(jìn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造技術(shù)，它通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了導(dǎo)通電阻（Rdson），提高了器件的性能和效率。維安（WAYON）作為電路保護(hù)元器件及功率半導(dǎo)體提供商，通過(guò)SJ-MOS技術(shù)的加成，推出了全新的MOSFET產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了更低的Rdson。以......
5G基站 TO-2... 充電樁模...
2021-03-30
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開(kāi)關(guān)電源芯片U6117S：內(nèi)置600V 功率MOSFET
開(kāi)關(guān)電源芯片U6117S：內(nèi)置600V 功率MOSFET
開(kāi)關(guān)電源芯片U6117S是一款內(nèi)置600V功率MOSFET的高性能電源管理芯片，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：一、主要特點(diǎn)內(nèi)置高壓MOSFET：U6117S內(nèi)置了600V（也有說(shuō)法為650V）的高壓MOSFET，這使得它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，同時(shí)減少了外部元件的使用，降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。多模式控制：該芯片支持多種工作模式，包括反激和降......
開(kāi)關(guān)電源... U611... MOSF...
2021-03-25
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
意法半導(dǎo)體發(fā)布的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，確實(shí)可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述意法半導(dǎo)體推出的STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源......
柵極驅(qū)動(dòng)... 電磁爐 家用電器
2021-03-23
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東芝發(fā)布采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備效率
東芝發(fā)布采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備效...
東芝發(fā)布的采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，確實(shí)有助于提高大電流設(shè)備的效率。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品系列與命名東芝在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出了多款650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，包括TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z等......
柵極驅(qū)動(dòng) 功率調(diào)節(jié)... 導(dǎo)通電阻
2021-03-19
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賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章
賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章
賦能未來(lái)，勇往直前——科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳（Cree, Inc.）的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour博士，發(fā)表了以《賦能未來(lái)，勇往直前：SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索》為題的文章。這篇文章不僅回顧了SiC MOSFET技術(shù)的研發(fā)歷程，還展望了其未來(lái)的應(yīng)用前景。在文......
固態(tài)照明 SiC碳... GaN氮...
2021-03-18
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Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊可支持新一代微處理器
Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊可支持新一代微處理器
Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊，旨在支持新一代微處理器，以下是該智能功率模塊的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品特點(diǎn)封裝形式：采用PowerPAK 5mm x 6mm封裝，這種小型化的封裝有助于節(jié)省電路板空間，提高系統(tǒng)的集成度。內(nèi)置功能：內(nèi)置電流和溫度監(jiān)測(cè)功能，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)功率模塊的工作狀態(tài)，確保系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和安全性。能效提升：通過(guò)......
MOSF... 驅(qū)動(dòng)IC PWM控...
2021-03-17
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東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產(chǎn) MOSFET 和 IGBT
東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產(chǎn) MOSFET 和 IGBT
TCL電子重磅發(fā)布的高端Mini LED智屏，確實(shí)引領(lǐng)了智能家居的一個(gè)嶄新時(shí)代。以下是對(duì)該事件的詳細(xì)分析：一、TCL電子與Mini LED智屏的發(fā)布TCL電子作為科技行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于創(chuàng)新技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。此次發(fā)布的高端Mini LED智屏，是TCL在Mini LED技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。Mini LED技術(shù)作為顯示技術(shù)的一種......
雙極晶體... 存儲(chǔ)裝置 功率器件
2021-03-15
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開(kāi)關(guān)電源MOS有哪些損耗
開(kāi)關(guān)電源MOS有哪些損耗
開(kāi)關(guān)電源中的MOS管（通常是MOSFET）在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生多種損耗。這些損耗主要包括以下幾個(gè)方面：一、導(dǎo)通損耗（Conduction Loss）導(dǎo)通損耗是指在MOS管完全導(dǎo)通狀態(tài)下，由于電流通過(guò)其導(dǎo)通通道時(shí)產(chǎn)生的熱量損耗。這主要是由于MOS管的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）不為零，當(dāng)負(fù)載電流通過(guò)時(shí)，會(huì)在RDS(on)上產(chǎn)生壓降，進(jìn)而形成損耗......
開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSF...
2021-03-11
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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC－Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC－Q1...
Nexperia（安世半導(dǎo)體）擴(kuò)展了其LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出了符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品。以下是對(duì)這一新品的詳細(xì)解析：一、產(chǎn)品背景與意義采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車(chē)應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。Nexperia作為關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家，此次推出的LFPAK56D半......
半橋封裝 汽車(chē)動(dòng)力... PCB連...
2021-03-02
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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化
東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化
東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化方面取得了顯著進(jìn)展。以下是對(duì)該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)東芝作為半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，一直致力于為工業(yè)應(yīng)用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。該模塊具有低導(dǎo)通電阻......
MOSF...
2021-03-01
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SiC MOSFET Drives Powertrain Inverter Performance
SiC MOSFET Drives Powertrain Inverter Pe...
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在驅(qū)動(dòng)電力傳動(dòng)逆變器性能方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)SiC MOSFET如何驅(qū)動(dòng)電力傳動(dòng)逆變器性能提升的詳細(xì)闡述：一、SiC MOSFET的主要特性低導(dǎo)通電阻與低開(kāi)關(guān)損耗：與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這使得SiC MOS......
SiC MOSF... Inve...
2021-02-26
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET，在電力電子領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)這種封裝的詳細(xì)解析：一、封裝優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)器源極引腳：傳統(tǒng)封裝中，源極引腳和柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路共享電感，導(dǎo)致柵極電壓降低，影響導(dǎo)通速度。具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝，通過(guò)將源極引腳和柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路分開(kāi)，消除了源極電感對(duì)柵極電壓的影響，使柵極電壓保持穩(wěn)定，從而......
驅(qū)動(dòng)器
2021-01-28
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
SiC MOSFET替代Si MOSFET時(shí)，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要注意一些關(guān)鍵問(wèn)題和調(diào)整。自舉電路能夠極大地簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，它只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管，從而節(jié)省成本。在SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)中，常規(guī)自舉電路的基本工作原理保持不變：當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電源通過(guò)自舉二極管和電阻對(duì)自舉電容進(jìn)行充電；當(dāng)下管關(guān)斷后......
自舉式懸...
2021-01-22
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MOSFET價(jià)格_MOSFET品牌排行
MOSFET價(jià)格_MOSFET品牌排行
MOSFET的價(jià)格因品牌、型號(hào)、封裝形式、性能參數(shù)以及購(gòu)買(mǎi)數(shù)量等因素而異。以下是一些影響MOSFET價(jià)格的主要因素及價(jià)格范圍：品牌與型號(hào)：知名品牌如英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等，其MOSFET產(chǎn)品通常具有較高的品質(zhì)和可靠性，價(jià)格相對(duì)較高。不同型號(hào)的MOSFET在性能參數(shù)、封裝形式等方面存在差異，因此價(jià)格也會(huì)有所不同。封裝形式：常見(jiàn)的MOS......
MOSF... MOSF... MOSF...
2021-01-21
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Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車(chē)級(jí)P溝道MOSFET
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車(chē)級(jí)P...
Vishay推出的這款具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車(chē)級(jí)P溝道MOSFET，是一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能電子元件。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品概述制造商：Vishay Intertechnology, Inc.產(chǎn)品型號(hào)：SQJ211ELP（或其他具體型號(hào)，但在此以SQJ211ELP為例）主要特性：100V ......
溝道MO...
2021-01-19
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Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC－Q101認(rèn)證的100 V 汽車(chē)級(jí)P溝道MOSFET
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC－Q101認(rèn)證的100 V 汽車(chē)級(jí)P...
Vishay確實(shí)推出了一款具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車(chē)級(jí)P溝道MOSFET，即SQJ211ELP。以下是對(duì)這款產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品概述Vishay Siliconix SQJ211ELP是一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的P溝道MOSFET，它提供了100V的DS（漏源）電壓等級(jí)，并具有出色的導(dǎo)通性能和可靠性。該產(chǎn)品通......
MOSF...
2021-01-13
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Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET，為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供業(yè)界最低FOM指標(biāo)
Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET，為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供...
Vishay推出的600 V EF系列快速體二極管MOSFET，確實(shí)為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了業(yè)界最低的FOM（Figure of Merit，優(yōu)值系數(shù)）指標(biāo)。以下是對(duì)該系列MOSFET的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品特點(diǎn)低FOM指標(biāo)：Vishay的600 V EF系列MOSFET通過(guò)降低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（Qg），實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的FOM......
快速體二... MOSF... Vish...
2020-12-28
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ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET
ROHM確實(shí)開(kāi)發(fā)出了實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET，以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述ROHM推出的第五代Pch MOSFET產(chǎn)品共計(jì)24款，非常適用于FA（工廠自動(dòng)化）設(shè)備、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品包括支持24V輸入電壓的-40V和-60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RS......
超低導(dǎo)通...
2020-12-28
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的 可靠重復(fù)雪崩性能
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試...
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET，以其歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的可靠重復(fù)雪崩性能，為汽車(chē)行業(yè)提供了高性能、高可靠性的解決方案。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品特點(diǎn)AEC-Q101認(rèn)證：該MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，這意味著它符合汽車(chē)電子行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，能夠在汽車(chē)環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行?？煽恐貜?fù)雪崩性能：產(chǎn)品經(jīng)......
MOSF...
2020-12-18
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Vishay推出業(yè)界首款符合AEC－Q101要求的PowerPAK SO－8L非對(duì)稱(chēng)雙芯片封裝60 V MOSFET
Vishay推出業(yè)界首款符合AEC－Q101要求的PowerPAK SO－8L非...
Vishay推出的業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非對(duì)稱(chēng)雙芯片封裝60 V MOSFET，是一款專(zhuān)為汽車(chē)行業(yè)設(shè)計(jì)的高性能功率MOSFET。以下是關(guān)于這款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品背景與意義隨著汽車(chē)電子系統(tǒng)的不斷發(fā)展和復(fù)雜化，對(duì)功率器件的性能、可靠性和空間利用率提出了更高的要求。Vishay作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和......
雙芯片
2020-12-17
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