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基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計方案
基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計方案
　　SiC功率模塊高效逆變器設(shè)計方案　　本文詳細介紹了基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計方案，全面論述了設(shè)計原理、關(guān)鍵技術(shù)及優(yōu)選元器件的型號、器件作用、選擇依據(jù)以及器件功能，并通過電路框圖對整體方案進行了直觀展示。文章分為以下幾個部分：設(shè)計背景與意義、SiC器件的優(yōu)勢、逆變器總體方案設(shè)計、關(guān)鍵元器件的優(yōu)選分析、電路框圖及各模塊工作原理、系......
SiC功... 高效逆變...
2025-03-26
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Basic knowledge of Memory module connector？
Basic knowledge of Memory module connect...
Basic Knowledge of Memory Module ConnectorsMemory modules are essential components in modern computing systems, used for storing and retrieving data. A memory module conn......
Memo...
2025-03-06
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UCC21520雙路供電 sic
UCC21520雙路供電 sic
UCC21520雙路供電SiC驅(qū)動器詳細介紹1. 概述UCC21520是一款由德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的高性能雙路供電驅(qū)動器，專為驅(qū)動SiC（碳化硅）MOSFET和GaN（氮化鎵）FET設(shè)計。SiC MOSFET因其具有較高的電壓承受能力、低導(dǎo)通電阻、以及較高的開關(guān)頻率，廣泛應(yīng)用于高壓、高功率的電源轉(zhuǎn)換器中。UC......
UCC2...
2025-02-05
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SICHAIN S1M007120PD碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 介紹
SICHAIN S1M007120PD碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 介紹
SICHAIN S1M007120PD 碳化硅場效應(yīng)管 (MOSFET) 詳解碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的高壓、高頻和高溫性能，逐漸成為電子器件領(lǐng)域的技術(shù)焦點。SICHAIN S1M007120PD 是一款基于碳化硅技術(shù)的場效應(yīng)管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)驅(qū)動和新能源汽車等領(lǐng)域。本文將詳細介紹該產(chǎn)品的型......
SICH... S1M0... 碳化硅場...
2024-11-29
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基于FPGA的ASIC協(xié)同原型驗證設(shè)計方案
基于FPGA的ASIC協(xié)同原型驗證設(shè)計方案
引言在現(xiàn)代電子設(shè)計中，ASIC（Application-Specific Integrated Circuit，應(yīng)用特定集成電路）和FPGA（Field-Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列）是兩種常見的集成電路設(shè)計方案。ASIC具有高性能和低功耗的優(yōu)勢，適用于大規(guī)模生產(chǎn)，而FPGA則以其高度的靈活性和可編程性......
FPGA
2024-11-19
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SiC SBD和SiC MOSFET有什么區(qū)別
SiC SBD和SiC MOSFET有什么區(qū)別
SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在多個方面存在顯著的區(qū)別。以下是對這兩種器件的詳細比較：一、工作原理SiC SBD：利用肖特基勢壘效應(yīng)進行整流。當(dāng)施加正向偏壓時，電子從半導(dǎo)體流向金屬，形成正向電流；當(dāng)施加反向偏壓時，肖特......
SiC ...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個更常用
碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個更常用
關(guān)于碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪個更常用的問題，實際上取決于具體的應(yīng)用場景和需求。兩者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，但各自具有不同的特性和優(yōu)勢。SiC MOSFET以其低電容值、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、高系統(tǒng)效率和快速開關(guān)速度等特點，在電動汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)和軌......
碳化硅二...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET有什么區(qū)別
碳化硅二極管和SiC MOSFET有什么區(qū)別
碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，但兩者在工作原理、特性、應(yīng)用及優(yōu)缺點等方面存在顯著的差異。一、工作原理碳化硅二極管（SiC SBD）利用肖特基勢壘效應(yīng)的整流二極管。工作原理基于金屬與碳化硅半導(dǎo)體之間形成的肖特基結(jié)。當(dāng)施加正向偏壓時，電子從......
碳化硅二...
2024-10-16
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從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時鐘設(shè)計方案
從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時鐘設(shè)計方案
從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時鐘設(shè)計方案在集成電路設(shè)計中，ASIC（Application-Specific Integrated Circuit，專用集成電路）和FPGA（Field-Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列）是兩種重要的實現(xiàn)方式。ASIC設(shè)計具有高性能、低功耗的特點，但開發(fā)周期長、成本高；而F......
ASIC FPGA
2024-10-10
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什么是SiC肖特基勢壘二極管
什么是SiC肖特基勢壘二極管
SiC肖特基勢壘二極管，也被稱為碳化硅肖特基二極管或SiC碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）這種化合物半導(dǎo)體材料制作的二極管。它的基本原理是利用金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性。碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管相似，但沒有PN結(jié)。它由金屬反型接觸和一個P型碳化硅半導(dǎo)......
SiC肖...
2024-05-07
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、...
英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用提供了優(yōu)勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了......
英飛凌 Cool...
2024-04-18
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關(guān)損耗)的介紹、特性、及應(yīng)用
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關(guān)損耗)的介...
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開關(guān)損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個開爾文參考穩(wěn)定運行。所有部件都經(jīng)過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標準。典型應(yīng)......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應(yīng)用
IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動器(柵極驅(qū)動...
IXYS IX4352NE 9A低側(cè)SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動器是柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅(qū)動器具有獨立的9A源和接收輸出，允許定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時間，同時最大限度地減少開關(guān)損耗。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器提供用戶可選擇的負柵極驅(qū)動偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅(qū)動...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
microcommercial Components (MCC) SICW028...
microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導(dǎo)通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開爾文源引腳，可降低開關(guān)損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅固性，能夠......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-28
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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應(yīng)用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件具有兩個GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅(qū)動設(shè)備進行通信。這種通信既可以發(fā)生在菊花鏈中，也可以發(fā)生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、...
microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫歐超低導(dǎo)通電阻，有助于最大限度地減少傳導(dǎo)損耗并提高電源應(yīng)用中的能效。這種SiC MOSFET具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，可以在高結(jié)溫(高達+175°C)下工作，確保在惡劣和具有挑戰(zhàn)性的條件下可靠運行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
24
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 對硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)進行了改進。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應(yīng)用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的工作。mosfet專為過載條......
英飛凌 Cool... G2 m...
2024-03-05
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onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特...
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC電源模塊以緊湊兼容的封裝提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模塊采用六封裝配置的900V SiC MOSFET，具有壓合引腳，易于組裝并增強了可靠性。該器件包括一個優(yōu)化的底板上的引腳翅片散熱器，并利用燒結(jié)技術(shù)來提高可靠性和熱效率。該模塊的設(shè)計......
ONSE... NVXR... SiC電...
2024-02-20
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