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SiC JFET的飽和伏安勢(shì)是什么？
SiC JFET的飽和伏安勢(shì)是什么？
嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，在SiC JFET（碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）相關(guān)參數(shù)中，并沒(méi)有直接稱為“飽和伏安勢(shì)”的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)。不過(guò)，結(jié)合伏安特性以及飽和區(qū)相關(guān)概念，推測(cè)你可能想了解的是SiC JFET在飽和區(qū)的伏安特性相關(guān)內(nèi)容，下面從伏安特性曲線和飽和區(qū)相關(guān)參數(shù)兩方面為你介紹。SiC JFET伏安特性曲線SiC JFET的伏安特性曲線描述了其漏極電流ID與漏......
SiC ...
2025-06-27
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碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)是什么？
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)是什么？
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor，SiC JFET）是一種基于碳化硅（SiC）材料制成的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它利用半導(dǎo)體中PN結(jié)的特性來(lái)控制溝道中的電流，屬于單極型功率器件。結(jié)構(gòu)組成P型柵區(qū)：這是控制電流的關(guān)鍵區(qū)域，通過(guò)改變施加在柵區(qū)的電壓，可以調(diào)節(jié)PN......
場(chǎng)效應(yīng)晶...
2025-06-27
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什么是asic芯片,asic芯片的基礎(chǔ)知識(shí)?
什么是asic芯片,asic芯片的基礎(chǔ)知識(shí)?
　　什么是ASIC芯片？ASIC芯片基礎(chǔ)知識(shí)詳解　　在現(xiàn)代電子科技的宏偉圖景中，ASIC（Application-Specific Integrated Circuit）芯片，即專用集成電路芯片，扮演著舉足輕重的角色。與通用處理器（如CPU或GPU）不同，ASIC芯片是為了特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)和優(yōu)化的集成電路。它們并非像通用芯片那樣力求面面俱......
ASIC...
2025-06-18
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ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)方案
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ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)方案深度解析在新能源、工業(yè)自動(dòng)化及電動(dòng)汽車等高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度及耐高溫特性，已成為功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的核心器件。然而，SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)需求遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件，需要專用的柵極驅(qū)動(dòng)器以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制。意法半......
STGA... 電流隔離 柵極驅(qū)動(dòng)
2025-05-23
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ADI ADuM4146米勒箝位的單/雙電源高電壓隔離SiC柵極驅(qū)動(dòng)方案
ADI ADuM4146米勒箝位的單/雙電源高電壓隔離SiC柵極驅(qū)動(dòng)方案
ADI ADuM4146米勒箝位的單/雙電源高電壓隔離SiC柵極驅(qū)動(dòng)方案在碳化硅（SiC）功率器件應(yīng)用中，柵極驅(qū)動(dòng)器的性能直接影響系統(tǒng)效率、可靠性和安全性。ADI公司推出的ADuM4146單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，通過(guò)集成米勒箝位、高壓隔離、去飽和保護(hù)等關(guān)鍵功能，為SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)提供了高效解決方案。本文將詳細(xì)分析ADuM4146的核心......
ADI ADuM... 隔離Si...
2025-05-19
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基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案
基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案
　　SiC功率模塊高效逆變器設(shè)計(jì)方案　　本文詳細(xì)介紹了基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案，全面論述了設(shè)計(jì)原理、關(guān)鍵技術(shù)及優(yōu)選元器件的型號(hào)、器件作用、選擇依據(jù)以及器件功能，并通過(guò)電路框圖對(duì)整體方案進(jìn)行了直觀展示。文章分為以下幾個(gè)部分：設(shè)計(jì)背景與意義、SiC器件的優(yōu)勢(shì)、逆變器總體方案設(shè)計(jì)、關(guān)鍵元器件的優(yōu)選分析、電路框圖及各模塊工作原理、系......
SiC功... 高效逆變...
2025-03-26
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Basic knowledge of Memory module connector？
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Basic Knowledge of Memory Module ConnectorsMemory modules are essential components in modern computing systems, used for storing and retrieving data. A memory module conn......
Memo...
2025-03-06
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UCC21520雙路供電 sic
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UCC21520雙路供電SiC驅(qū)動(dòng)器詳細(xì)介紹1. 概述UCC21520是一款由德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的高性能雙路供電驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)SiC（碳化硅）MOSFET和GaN（氮化鎵）FET設(shè)計(jì)。SiC MOSFET因其具有較高的電壓承受能力、低導(dǎo)通電阻、以及較高的開(kāi)關(guān)頻率，廣泛應(yīng)用于高壓、高功率的電源轉(zhuǎn)換器中。UC......
UCC2...
2025-02-05
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SICHAIN S1M007120PD碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 介紹
SICHAIN S1M007120PD碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 介紹
SICHAIN S1M007120PD 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET) 詳解碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的高壓、高頻和高溫性能，逐漸成為電子器件領(lǐng)域的技術(shù)焦點(diǎn)。SICHAIN S1M007120PD 是一款基于碳化硅技術(shù)的場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)驅(qū)動(dòng)和新能源汽車等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹該產(chǎn)品的型......
SICH... S1M0... 碳化硅場(chǎng)...
2024-11-29
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基于FPGA的ASIC協(xié)同原型驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案
基于FPGA的ASIC協(xié)同原型驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案
引言在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，ASIC（Application-Specific Integrated Circuit，應(yīng)用特定集成電路）和FPGA（Field-Programmable Gate Array，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）是兩種常見(jiàn)的集成電路設(shè)計(jì)方案。ASIC具有高性能和低功耗的優(yōu)勢(shì)，適用于大規(guī)模生產(chǎn)，而FPGA則以其高度的靈活性和可編程性......
FPGA
2024-11-19
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SiC SBD和SiC MOSFET有什么區(qū)別
SiC SBD和SiC MOSFET有什么區(qū)別
SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)這兩種器件的詳細(xì)比較：一、工作原理SiC SBD：利用肖特基勢(shì)壘效應(yīng)進(jìn)行整流。當(dāng)施加正向偏壓時(shí)，電子從半導(dǎo)體流向金屬，形成正向電流；當(dāng)施加反向偏壓時(shí)，肖特......
SiC ...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個(gè)更常用
碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個(gè)更常用
關(guān)于碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪個(gè)更常用的問(wèn)題，實(shí)際上取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求。兩者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，但各自具有不同的特性和優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET以其低電容值、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、高系統(tǒng)效率和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)，在電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)和軌......
碳化硅二...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET有什么區(qū)別
碳化硅二極管和SiC MOSFET有什么區(qū)別
碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，但兩者在工作原理、特性、應(yīng)用及優(yōu)缺點(diǎn)等方面存在顯著的差異。一、工作原理碳化硅二極管（SiC SBD）利用肖特基勢(shì)壘效應(yīng)的整流二極管。工作原理基于金屬與碳化硅半導(dǎo)體之間形成的肖特基結(jié)。當(dāng)施加正向偏壓時(shí)，電子從......
碳化硅二...
2024-10-16
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從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)方案
從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)方案
從ASIC到FPGA的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)方案在集成電路設(shè)計(jì)中，ASIC（Application-Specific Integrated Circuit，專用集成電路）和FPGA（Field-Programmable Gate Array，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）是兩種重要的實(shí)現(xiàn)方式。ASIC設(shè)計(jì)具有高性能、低功耗的特點(diǎn)，但開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)、成本高；而F......
ASIC FPGA
2024-10-10
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什么是SiC肖特基勢(shì)壘二極管
什么是SiC肖特基勢(shì)壘二極管
SiC肖特基勢(shì)壘二極管，也被稱為碳化硅肖特基二極管或SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）這種化合物半導(dǎo)體材料制作的二極管。它的基本原理是利用金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性。碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管相似，但沒(méi)有PN結(jié)。它由金屬反型接觸和一個(gè)P型碳化硅半導(dǎo)......
SiC肖...
2024-05-07
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實(shí)現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用提供了優(yōu)勢(shì)，如光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動(dòng)汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了......
英飛凌 Cool...
2024-04-18
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開(kāi)關(guān)損耗)的介紹、特性、及應(yīng)用
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開(kāi)關(guān)損耗)的介...
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開(kāi)關(guān)損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅(jiān)固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個(gè)開(kāi)爾文參考穩(wěn)定運(yùn)行。所有部件都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點(diǎn)是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動(dòng)器(柵極驅(qū)動(dòng)器)的介紹、特性、及應(yīng)用
IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動(dòng)器(柵極驅(qū)動(dòng)...
IXYS IX4352NE 9A低側(cè)SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器是柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立的9A源和接收輸出，允許定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，同時(shí)最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器提供用戶可選擇的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
microcommercial Components (MCC) SICW028...
microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導(dǎo)通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開(kāi)爾文源引腳，可降低開(kāi)關(guān)損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅(jiān)固性，能夠......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-28
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