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東芯半導體
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東芯半導體Parallel NAND Flash 兼容傳統(tǒng)的并行接口標準,適合大數(shù)據的讀寫,工藝制程24nm即將實現(xiàn)量產。 在NAND Flash領域,24nm是目前國內領先的工藝制程,東芯半導體在國內領先的24nm的工藝制程上也有突破,也即將實現(xiàn)量產。因此,東芯的24nm Parallel NAND Flash在訪問速率及功耗都更具優(yōu)勢,關鍵技術且都具有自主專利。