化學機械研磨，晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產(chǎn)中。1995年以后，CMP技術得到了快速發(fā)展，大量應用于半導體產(chǎn)業(yè)。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術。