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計算光刻
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光刻工藝過程可以用光學(xué)和化學(xué)模型，借助數(shù)學(xué)公式來描述。光照射在掩模上發(fā)生衍射，衍射級被投影透鏡收集并會聚在光刻膠表面，這一成像過程是一個光學(xué)過程；投影在光刻膠上的圖像激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)，烘烤后導(dǎo)致光刻膠局部可溶于顯影液，這是化學(xué)過程。計算光刻就是使用計算機來模擬、仿真這些光學(xué)和化學(xué)過程，從理論上探索增大光刻分辨率和工藝窗口的途徑，指導(dǎo)工藝參數(shù)的優(yōu)化

國內(nèi)首臺關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備出機中芯國際，面向 300mm（12 英寸）硅片工藝制程
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國內(nèi)首臺關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備（CD-SEM）已成功出機給中芯國際，這臺設(shè)備面向300mm（12英寸）硅片工藝制程，具有里程碑式的意義。以下是對該事件的詳細分析：一、設(shè)備詳情型號：SEpA-c410制造商：東方晶源面向工藝制程：300mm（12英寸）硅片工藝制程技術(shù)特點：通過先進的電子束成像系統(tǒng)和高速硅片傳輸方案，搭配精準(zhǔn)的量測算法，可實現(xiàn)高重......
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中科院上海光機所計算光刻技術(shù)研究取得進展
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