超薄片槽柵IGBT
超薄片槽柵IGBT
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本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種具有埋層結(jié)構(gòu)的槽柵型MOS。相比傳統(tǒng)的槽柵型,本發(fā)明通過(guò)引入在示意圖的x方向和y方向具有不同深度的P型體區(qū),使得槽柵的下方仍為P型區(qū)域,降低了該結(jié)構(gòu)的柵漏電容(Cgd)和柵源電容(Cgs)的比值,在x方向的倒梯形P型體區(qū)還改善了槽柵拐角區(qū)域的峰值電場(chǎng)。通過(guò)在外延層區(qū)域加入適當(dāng)?shù)姆葱吐駥訁^(qū)域,引入了橫向電場(chǎng),有效地提高其耐壓能力,加入的埋層結(jié)構(gòu)使得槽柵下方的N?外延層區(qū)域可以提高摻雜濃度,降低導(dǎo)通電阻。
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