您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標簽 > 高密度溝槽柵MOSFET
高密度溝槽柵MOSFET
高密度溝槽柵MOSFET
相關文章 : 1篇 瀏覽 : 10次

一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)單元,它包含一個被一源區(qū)域圍繞的溝槽柵極,而此源區(qū)域被安置在襯底底部表面上的漏極區(qū)域之上的基體區(qū)域包圍著.該MOSFET單元還包含一個埋設的溝槽多晶硅柵極導路,它電接觸到該溝槽MOSFET的溝槽柵極.用作柵極導路的該埋設溝槽多晶硅柵極導路,以增加柵極傳輸面積并增加到柵極接觸金屬的接觸面積以降低柵極電阻.

士蘭微：2021 年上半年凈利潤 4.31 億元，同比增長 1306.52%
士蘭微：2021 年上半年凈利潤 4.31 億元，同比增長 1306.52%
士蘭微在2021年上半年的財務表現(xiàn)非常亮眼，具體表現(xiàn)為凈利潤的大幅增長。根據(jù)多家權威媒體和機構發(fā)布的信息，士蘭微在2021年上半年實現(xiàn)了凈利潤約4.31億元，同比增長了驚人的1306.52%。這一數(shù)據(jù)不僅彰顯了士蘭微在半導體行業(yè)的強勁發(fā)展勢頭，也反映了其在市場競爭中的優(yōu)越地位。具體來說，士蘭微在2021年上半年的營業(yè)收入約為33.08億元......
快恢復二... 超薄片槽... 高密度溝...
2021-08-17
10