SiC MOSFET功率模塊能夠幫助提高變換器高溫、高功率密度運(yùn)行的可行性。同時(shí),對(duì)于高溫下可靠運(yùn)行的驅(qū)動(dòng)電路的需求也隨之增加。由于Si技術(shù)的驅(qū)動(dòng)芯片和隔離芯片的耐溫最大不超過(guò)125℃,本研究提出了一種使用脈沖變壓器配合基于Si材料的分立器件實(shí)現(xiàn)的隔離驅(qū)動(dòng)電路,能夠提供與商業(yè)化驅(qū)動(dòng)電路同等的驅(qū)動(dòng)電流與上升下降時(shí)間。所提出的分立器件驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)Saber仿真驗(yàn)證,并于SiC功率模塊上進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn)評(píng)估。