英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產(chǎn)品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率密度、卓越效率、雙向充電能力以及顯著降低的系統(tǒng)成本使英飛凌科技1200V汽車CoolSiC MOSFET模塊成為車載充電器和DC-DC應用的理想選擇。TO和SMD組件還配備了開爾文源引腳，以優(yōu)化開關性能。

特性

• 革命性的碳化硅半導體材料

• 極低的開關損耗

• 增加導通電壓V(GS(on)) 20V

• 兼容igbt驅動電壓

• 0V關斷柵極電壓

• 基準柵極閾值電壓V(GS(the)) = 4.5V

• 一流的開關能量

• 器件電容低

• 無閾值on-state特性

• 與溫度無關的關斷開關損耗

• .XT模具貼附技術，具有一流的熱性能

• 完全可控的dv/dt

• 用于優(yōu)化開關性能的檢測引腳

• 適用于高壓漏電要求

• 細引線，減少焊接橋的風險

• 整流穩(wěn)健體二極管，準備同步整流

• -55℃~ +175℃工作溫度范圍

• 無鉛，無鹵，符合rohs標準

應用程序

• 車載充電器和pfc

• 助推器和DC/DC轉換器

• 輔助逆變器