本發(fā)明提出一種PECVD設(shè)備,包括:腔體,晶片托架,多個(gè)射頻電極,傳輸裝置和升降裝置.具體地,所述腔體上設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口,所述腔體設(shè)有第一傳輸口和第二傳輸口;所述晶片托架包括沿前后方向間隔布置且豎直放置的多個(gè)載板,所述晶片托架在所述反應(yīng)腔內(nèi)沿豎向在上部位置和下部位置之間可移動(dòng);所述多個(gè)射頻電極設(shè)在所述反應(yīng)腔的頂部且垂直于頂面放置,所述多個(gè)射頻電極沿前后方向間隔布置,且在所述晶片托架位于所述反應(yīng)腔的上部位置時(shí)所述多個(gè)射頻電極分別對應(yīng)地插入到相鄰載板之間.根據(jù)本發(fā)明的PECVD設(shè)備,增加設(shè)備的產(chǎn)能,而且降低設(shè)備的占地面積,降低設(shè)備加工的難度和成本,削弱射頻電極上的駐波效應(yīng),提高膜的表面質(zhì)量.