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使用AOI提高您的工廠績效
使用AOI提高您的工廠績效
使用AOI（自動光學檢測）技術來提高工廠績效是一個明智的選擇。AOI技術通過自動化和精確的光學檢測，能夠顯著提高產品質量、降低生產成本，并提升整體生產效率。以下是關于如何使用AOI提高工廠績效的詳細分析：一、提高檢測效率AOI技術采用自動化檢測方式，能夠大幅提高檢測效率。相比傳統(tǒng)的人工檢測，AOI技術能夠在短時間內完成大量產品的檢測，減少......
Cerv... DRAM 閃存模塊
2022-11-11
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CXL 聯盟和 JEDEC 合作推進 DRAM 和持久內存技術
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CXL聯盟與JEDEC的合作為推進DRAM和持久內存技術帶來了重要的推動力。以下是關于這次合作的清晰歸納：合作背景CXL聯盟：由英特爾推出的標準，旨在簡化加速器和內存擴展的互連和可擴展性。該聯盟致力于推動CXL技術的發(fā)展，其成員包括英特爾、阿里巴巴、華為、思科、Facebook、谷歌、惠普和微軟等行業(yè)領軍企業(yè)。JEDEC：作為固態(tài)及半導體......
內存技術 DRAM JEDE...
2022-08-31
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華邦 W9825G6KB 高速SDRAM
華邦 W9825G6KB 高速SDRAM
華邦（Winbond）的W9825G6KB是一款高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以下是對其特性的詳細概述：基本規(guī)格：類型：高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）存儲容量：256Mbit（即32MB）數據總線寬度：16 bit組織：16M x 16（即內存組織為16百萬個地址，每個地址存儲16位數據）性能參數：最大時鐘頻率：16......
華邦 W982... 高速SD...
2022-08-04
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華邦 W9812G6KB 高速SDRAM
華邦 W9812G6KB 高速SDRAM
華邦W9812G6KB是一款高速SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory，同步動態(tài)隨機存取存儲器）。以下是關于這款產品的詳細信息和特點：存儲容量：W9812G6KB是一款**64Mb（兆位）**的SDRAM。這意味著它可以存儲67,108,864位數據。內部組織：存儲區(qū)被組織為4,096......
華邦 W981... 高速SD...
2022-07-15
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華邦 W9864G6KT 高速 SDRAM
華邦 W9864G6KT 高速 SDRAM
華邦W9864G6KT高速SDRAM是一款高性能的存儲器件，具有多個顯著特點和優(yōu)勢。以下是關于該產品的詳細介紹：存儲容量與組織：W9864G6KT高速SDRAM的存儲容量組織為1,048,576字（即1M字）x 4個銀行（Bank）x 16位。這種結構使其能夠高效地進行數據處理和存儲。數據帶寬與頻率：該SDRAM提供高達每秒166M字的數......
華邦 W986... SDRA...
2022-07-15
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Alliance Memory MT41x DDR3 sdram的介紹、特性、及應用
Alliance Memory MT41x DDR3 sdram的介紹、特性、及...
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAM的介紹、特性及應用可以歸納如下：一、介紹Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAM是第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（Double-Data-Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory）的一種型號，......
差分時鐘
2021-12-31
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東芝開發(fā)出新型太陽能電池，放在電動汽車上每天能提供 35km 續(xù)航
東芝開發(fā)出新型太陽能電池，放在電動汽車上每天能提供 35km 續(xù)航
東芝確實開發(fā)出了新型太陽能電池，這種電池被設計為可以安裝在電動汽車上，以提供額外的續(xù)航能力。以下是關于這款新型太陽能電池的詳細解答：一、電池類型與特點類型：東芝成功研發(fā)出的是新型“透射型氧化亞銅(Cu2O)太陽能電池”。特點：低成本：透射型氧化亞銅太陽能電池的主要材料是銅和氧的化合物Cu2O，與III-V族半導體相比，其基板、原材料和制造......
無人機 DRAM 太陽能電...
2021-12-24
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Yole：中國大陸存儲芯片廠商極大地推動了本土封測廠的繁榮
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Yole（一家知名的半導體市場研究與咨詢公司）的研究報告指出，中國大陸存儲芯片廠商的崛起極大地推動了本土封裝測試（封測）廠的繁榮。這一結論基于多個方面的數據和趨勢分析，以下是對該現象的詳細闡述：一、存儲芯片市場的增長市場需求增長：在以數據為中心的現代社會中，存儲芯片的需求受到移動端、云計算、人工智能和物聯網等重要大趨勢的推動，呈現出強勁的......
存儲器 OSAT DRAM
2021-11-19
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IC Insights：強勁上漲之后減庫存，DRAM 價格將在今年第 4 季度回落
IC Insights：強勁上漲之后減庫存，DRAM 價格將在今年第 4 季度回...
關于IC Insights對DRAM價格在今年第四季度的預測，即DRAM價格將在今年第四季度回落，這一觀點需要結合當前的市場動態(tài)和多方預測來進行分析。首先，從當前的市場趨勢來看，DRAM價格在過去一段時間內確實經歷了強勁上漲。這主要是由于供應端的調整（如三星等存儲原廠的減產）以及市場需求的逐步恢復（如PC和智能手機市場的預期復蘇）所共同推......
電源管理... 服務器 DRAM
2021-11-12
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DRAM 價格進入下行周期，三星和 SK 海力士將啟動出貨控制計劃
DRAM 價格進入下行周期，三星和 SK 海力士將啟動出貨控制計劃
DRAM價格進入下行周期時，三星和SK海力士等存儲大廠往往會采取一系列措施來應對市場變化，其中包括啟動出貨控制計劃。以下是對該情況的詳細分析：一、DRAM價格下行周期的背景DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場具有周期性波動特點，其價格上行期和下行期通常會交替出現。當DRAM市場進入下行周期時，產品價格普遍下降，市場需求減少，供應相對過剩。這......
三星電子 DRAM 海力士
2021-11-04
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DRAM 價格開啟下跌模式，看三星電子、SK海力士如何應對
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DRAM價格開啟下跌模式時，三星電子和SK海力士作為行業(yè)內的主要廠商，會采取一系列措施來應對這一市場變化。以下是對兩家公司可能采取的應對措施的詳細分析：一、三星電子的應對措施減少庫存并調整生產計劃三星電子會將半導體庫存水平減少到最低水平，以應對價格下跌帶來的庫存壓力。調整生產計劃，根據市場需求變化靈活調整DRAM芯片的晶圓投片量。例如，從......
DRAM 晶圓密度 半導體器
2021-11-02
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宜鼎發(fā)布全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模塊
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宜鼎國際于2021年10月28日正式發(fā)布了全球首款“Ultra Temperature”極寬溫DRAM模塊，這一創(chuàng)新產品將工業(yè)級寬溫標準一舉推升至125℃，成為全球第一款超越工業(yè)寬溫的內存模塊。以下是關于該產品的詳細介紹：一、產品特點極寬溫范圍：支持-40攝氏度至125攝氏度的極寬溫工作環(huán)境，遠超傳統(tǒng)工業(yè)級內存模塊的-40攝氏度至85攝氏......
DRAM... 自駕車載... DDR4...
2021-10-29
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士在DRAM技術領域一直保持著領先地位，并成功開發(fā)了業(yè)界第一款HBM3 DRAM（高帶寬內存）。以下是對SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM的詳細介紹：一、產品發(fā)布與特點發(fā)布時間：SK海力士于2021年10月20日宣布成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片。技術特點：高容量：單片最大容量可達24GB，是目前業(yè)界最大的......
高端存儲... HBM3 DRAM...
2021-10-21
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三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產是三星在DRAM技術領域的一項重要里程碑。以下是關于這一事件的詳細解答：一、量產背景技術基礎：三星通過開拓關鍵的圖案化創(chuàng)新技術，在近三年的時間里一直引領著DRAM市場。此次量產的14納米EUV DDR5 DRAM，是三星在DRAM工藝上的又一次重大突破。市場定位：三星的14納米EUV DDR5......
企業(yè)服務... 超級計算... EUV技...
2021-10-13
15
消息人士：DRAM 合約價格 Q4 跌幅將超過預期
消息人士：DRAM 合約價格 Q4 跌幅將超過預期
關于DRAM合約價格第四季度的跌幅是否將超過預期，我們需要結合當前的市場動態(tài)和趨勢來進行分析。不過，根據最新的市場研究報告和趨勢預測，目前并沒有直接證據表明DRAM合約價格在2024年第四季度（基于當前時間2024年08月16日）的跌幅將超過預期。相反，從多個來源的信息來看，DRAM合約價格在經歷了長時間的下跌后，已經開始呈現上漲趨勢。具......
服務器 DRAM 內存模塊
2021-09-24
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缺貨行情消退：DRAM 主流產品價格 10 個月來迎來首跌，恐將持續(xù)呈現下跌態(tài)勢
缺貨行情消退：DRAM 主流產品價格 10 個月來迎來首跌，恐將持續(xù)呈現下跌態(tài)勢...
關于DRAM主流產品價格10個月來迎來首跌，并可能持續(xù)呈現下跌態(tài)勢的情況，以下是從當前市場狀況、歷史趨勢和潛在影響因素等方面進行的綜合分析：一、當前市場狀況1. 價格首跌現象近期DRAM主流產品價格確實出現了自過去10個月以來的首次下跌。這一現象可能受到多種因素的綜合影響，包括但不限于市場需求變化、供應鏈調整以及技術進步等。2. 市場反應......
DRAM 經濟需求 盈利
2021-09-15
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業(yè)內人士稱 DRAM 現貨價格加速下跌
業(yè)內人士稱 DRAM 現貨價格加速下跌
業(yè)內人士稱DRAM現貨價格加速下跌，這一現象可以從多個方面進行分析和解讀。一、現貨市場價格動態(tài)1. 近期價格走勢根據近期市場數據，DRAM現貨價格確實出現了加速下跌的趨勢。這可能與市場供需關系、消費者需求變化以及技術更新換代等多種因素有關。2. 具體產品表現不同規(guī)格的DRAM芯片價格下跌幅度不一。例如，主流DDR4芯片的現貨價格在一段時間......
高端模塊 NAND 8Gb ...
2021-09-02
10
對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
對先進DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究是一個復雜且關鍵的領域，它直接影響到DRAM的性能、穩(wěn)定性和可靠性。有源區(qū)是半導體器件中用于形成導電溝道的區(qū)域，其形狀和尺寸對于器件的電氣特性至關重要。在先進DRAM工藝中，隨著特征尺寸的不斷縮小，有源區(qū)形狀扭曲問題變得尤為突出。以下是對該問題的詳細分析和研究思路：1.問題背景......
3D分配... 擴散求解... 3D結構
2021-09-01
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GOODRAM推出HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤新品
GOODRAM推出HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤新品
GOODRAM推出的HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤新品，是一款具備高性能和便捷性的存儲設備。以下是對該產品的詳細介紹：基本信息產品名稱：GOODRAM HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤發(fā)布時間：該產品于2021年推出，具體日期為2021年8月25日左右。技術規(guī)格總線接口：PCIe 3.0 x4，這一接......
移動固態(tài)... 臺式機 TLC閃...
2021-08-27
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TrendForce：DRAM 總產值 Q2 達 241 億美元，三星、SK 海力士、美光營收前三
TrendForce：DRAM 總產值 Q2 達 241 億美元，三星、SK 海...
針對TrendForce關于DRAM總產值及三星、SK海力士、美光營收的信息，首先需要指出的是，您提供的DRAM總產值Q2達241億美元的數據與目前可獲取的最新信息存在出入。根據TrendForce集邦咨詢的最新研報，2024年第二季全球DRAM內存產業(yè)實現的營收為229.01億美元，而非241億美元。不過，我會基于這一最新數據以及三星、......
三星 DRAM 海力士
2021-08-24
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