DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是計算機中用于臨時存儲數(shù)據(jù)的主流技術(shù)，通過電容充放電實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。以下用簡單類比和關(guān)鍵步驟帶你快速理解：1. 核心結(jié)構(gòu)：水桶+開關(guān)電容（水桶）：存儲電荷（水），有水=1，無水=0。晶體管（開關(guān)）：控制水桶與數(shù)據(jù)管道（位線）的連接。2. 寫入數(shù)據(jù)：往水桶加水選中水桶：通過行地址找到目標行。加水/放水：寫1：往水......

DRAM 根據(jù)技術(shù)特性和應(yīng)用場景可分為多種類型：按數(shù)據(jù)傳輸速率：SDRAM（同步動態(tài)隨機存取存儲器）：最早廣泛使用的同步 DRAM，與系統(tǒng)時鐘同步。DDR SDRAM（雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器）：在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，已發(fā)展至 DDR5，性能和帶寬持續(xù)提升。按應(yīng)用場景：LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)率）：針對移動設(shè)備設(shè)......

綠芯無外置DRAM NVMe ArmourDrive固態(tài)硬盤憑借其高性能、低功耗、高數(shù)據(jù)完整性、廣泛容量選擇及高可靠性，能夠滿足不同客戶在工業(yè)自動化、云計算、交通運輸?shù)阮I(lǐng)域的多樣化需求。一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢高性能順序讀寫速度高達2,500/2,100 MB/s，滿足高性能數(shù)據(jù)存儲需求。支持PCIe Gen3 x4接口，確保高速數(shù)據(jù)傳輸效率。低......

一、產(chǎn)品概述美光推出的基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝（MCP）產(chǎn)品，是面向5G及高性能計算領(lǐng)域的重要創(chuàng)新。該產(chǎn)品將多個LPDDR5 DRAM芯片集成在一個封裝內(nèi)，通過優(yōu)化內(nèi)部連接和散熱設(shè)計，實現(xiàn)了更高的數(shù)據(jù)帶寬、更低的功耗以及更緊湊的封裝尺寸。這一產(chǎn)品的問世，標志著美光在移動存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，為5G設(shè)備的性能提升提供了有力......