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DDR4
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Insignis NLQ系列LPDDR4 dram的介紹、特性、及應(yīng)用
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Insignis提供NLQ系列LPDDR4 SDRAM作為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的插入式替代品。它被組織為每個(gè)設(shè)備1或2通道，每個(gè)通道是8個(gè)銀行和16位。本產(chǎn)品采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。雙數(shù)據(jù)速率體系結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是一個(gè)16n預(yù)取體系結(jié)構(gòu)，其接口設(shè)計(jì)為在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。該產(chǎn)品提供參考時(shí)鐘上升沿和下降沿的完全同步操作。數(shù)......
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2024-04-03
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金士頓LPDDR4 DRAM器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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金士頓LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突發(fā)訪問的自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng)。這些DRAM設(shè)備提供DMI引腳支持寫數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封裝，芯片密度為8gb。這些DRAM器件具有自動(dòng)溫度補(bǔ)償自刷新(ATCSR)功能，通過內(nèi)置溫度傳感器和每次銀行刷新。LPDDR4器件工作溫度范圍為-25℃~ ......
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2023-12-06
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SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT的介紹SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT是一款采用DDR4技術(shù)的內(nèi)存集成電路（IC）。它屬于SMARTsemi品牌，具有特定的型號(hào)編碼和配置。特性存儲(chǔ)容量：KTDM8G4B632BGIEAT的內(nèi)存容量為8Gb，可根據(jù)需求選擇x8或......
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2022-11-25
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ddr5和ddr4的區(qū)別
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DDR5和DDR4是兩種不同代的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的區(qū)別。以下是DDR5和DDR4的主要區(qū)別：電壓：DDR5內(nèi)存的工作電壓降低至1.1V，相較于DDR4的1.2V，有助于降低功耗并提高能效。頻率：DDR5的最低頻率為4800MHz，而目前DDR4的最高頻率為4266MHz（不超頻的情況下）。DDR5的頻率明顯高于DDR......
DDR5
2022-11-18
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瑞薩電子推出工業(yè)溫度級(jí)DDR5和DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器
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瑞薩電子作為全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，在存儲(chǔ)接口產(chǎn)品領(lǐng)域具有顯著的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額。該公司推出的工業(yè)溫度級(jí)DDR5和DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）是其產(chǎn)品線中的重要組成部分，旨在滿足邊緣計(jì)算、汽車、工業(yè)4.0和5G等嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境的需求。一、產(chǎn)品概述瑞薩電子推出的工業(yè)溫度級(jí)DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄......
寄存時(shí)鐘... SPD集... 工業(yè)溫度...
2021-11-05
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PNY推出XLR8 Gaming系列DDR4臺(tái)式馬甲內(nèi)存條
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PNY推出的XLR8 Gaming系列DDR4臺(tái)式馬甲內(nèi)存條是一款專為高效能系統(tǒng)設(shè)計(jì)的內(nèi)存產(chǎn)品，具備多項(xiàng)出色特性和優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)該系列內(nèi)存條的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品特點(diǎn)高效能設(shè)計(jì)：該系列內(nèi)存條專為高效能系統(tǒng)所設(shè)計(jì)，采用矮版設(shè)計(jì)，能夠在有限的空間內(nèi)發(fā)揮更好的效能。支持XMP2.0技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)一鍵超頻，輕松享受更高頻寬和超低延遲，提升系統(tǒng)整體性......
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2021-08-30
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三星：正在開發(fā) 8 層 TSV 的 DDR5 內(nèi)存模塊，容量達(dá) DDR4 兩倍
三星：正在開發(fā) 8 層 TSV 的 DDR5 內(nèi)存模塊，容量達(dá) DDR4 兩倍
三星確實(shí)在積極開發(fā)具有8層TSV（直通硅通孔）的DDR5內(nèi)存模塊，這一技術(shù)在內(nèi)存容量和性能上相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。以下是對(duì)這一技術(shù)開發(fā)的詳細(xì)解讀：一、技術(shù)特點(diǎn)8層TSV設(shè)計(jì)：三星的DDR5內(nèi)存模塊采用了8層TSV設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)使得內(nèi)存模塊的容量能夠達(dá)到DDR4內(nèi)存的兩倍。這意味著，在理論上，單條DDR5內(nèi)存模塊的容量可以達(dá)到非常......
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2021-08-24
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ISSI LPDDR4和LPDDR4X移動(dòng)SDRAM是低壓存儲(chǔ)設(shè)備，以下是對(duì)這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低壓存儲(chǔ)器器件，提供2Gb、4Gb和8Gb的存儲(chǔ)密度選擇。這些設(shè)備具有低壓內(nèi)核和I/O電源要求，非常適合用于移動(dòng)應(yīng)用。二、主要特性低壓電源：LPDDR4的工作電......
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2021-06-23
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DDR4 SDRAM在宇航業(yè)中的應(yīng)用
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DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory）即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，在宇航業(yè)中的應(yīng)用具有重要意義。以下是對(duì)DDR4 SDRAM在宇航業(yè)中應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、宇航業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器的需求宇航業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器的......
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2020-12-07
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快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時(shí)代
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隨著航天技術(shù)的飛速發(fā)展，衛(wèi)星和航天器對(duì)數(shù)據(jù)處理能力、存儲(chǔ)容量和速度的要求不斷提升。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)已難以滿足高吞吐量載荷（如超高分辨率成像、流媒體視頻直播、星上人工智能等）的需求。在此背景下，DDR4 SDRAM（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）憑借其高速率、低功耗、高密度和強(qiáng)可靠性，成為宇航存儲(chǔ)領(lǐng)域的革新力量。一、DDR4 S......
DDR4
2020-11-16
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