基于氮化鎵的分容水冷一體機(jī)解決方案　　本方案旨在利用氮化鎵（GaN）器件在高效能、高頻率和低損耗上的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合分容水冷散熱技術(shù)，設(shè)計(jì)一款集成式水冷一體機(jī)系統(tǒng)。本文將從系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)、器件選型、詳細(xì)電路設(shè)計(jì)、熱管理方案、控制策略、可靠性設(shè)計(jì)及測(cè)試驗(yàn)證等方面進(jìn)行全面論述，詳細(xì)介紹各元器件的型號(hào)、作用、選型理由及在整個(gè)方案中的功能，力圖為工程......

38家氮化鎵主要玩家及產(chǎn)品 氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料，具有顯著特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，在電力電子、射頻電子、光電子以及新能源汽車、充電設(shè)備、光伏發(fā)電等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和廣闊的市場(chǎng)前景。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)報(bào)告顯示，全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。我們......

氮化鎵功率器件有那些氮化鎵功率器件是一類在射頻（RF）和微波領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的器件，它們利用氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料制造而成。這些器件通常具有高功率密度、高頻率、高工作溫度和高效率等特點(diǎn)。以下是一些常見的氮化鎵功率器件：氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）：GaN FET是氮化鎵器件家族中的主力，用于放大和控制微波和射頻信號(hào)。它們?cè)谕ㄐ拧?.....

Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺(tái)，該平臺(tái)支持先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，可簡(jiǎn)化制造過程。TP65H050G4YS 650V FET結(jié)合了最先進(jìn)的高......

　　什么是氮化鎵芯片?　　氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵(GaN)是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的特性，包括寬能帶隙、高載流子飽和......

　　由 蘇珊·諾迪克　　Gallium Semi發(fā)布了一個(gè)非線性模型庫(kù)，用于其所有寬帶雙扁平無(wú)鉛(DFN)塑料和氣腔陶瓷(ACC)封裝GaN晶體管。這 22 個(gè)模型采用寬帶 S 參數(shù)和負(fù)載牽引測(cè)量進(jìn)行設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，以確保準(zhǔn)確的仿真。　　　　Gallium的GaN基半導(dǎo)體器件可用于廣泛的應(yīng)用，包括5G移動(dòng)通信、航空航天、國(guó)防、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)......

　　EPC 基于 EPC9177 eGaN IC 的參考設(shè)計(jì)可滿足新的 USB PD 3.1 對(duì)多端口充電器的嚴(yán)格要求?！　「咝щ娫崔D(zhuǎn)換 (EPC) EPC9177 是一款基于 eGaN IC 的參考設(shè)計(jì)，適用于高功率密度、扁平 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，可滿足新的 USB PD 3.1 對(duì)多端口充電器和主板上 DC-DC 的嚴(yán)格要求，可將 ......

　　作者：延斯·沃爾曼　　協(xié)作機(jī)器人(cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等電池供電應(yīng)用需要輕巧、功能強(qiáng)大的小尺寸電機(jī)。無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，但電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備非常復(fù)雜，需要考慮許多設(shè)計(jì)因素。設(shè)計(jì)人員必須嚴(yán)格調(diào)節(jié)扭矩、速度和位置，同時(shí)確保高精度、最小振動(dòng)、噪聲和電磁輻射 (EMR)。此外，必須避免使用......

EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）和VIS（世界先進(jìn)集成電路股份有限公司）在8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體制造方面的合作伙伴關(guān)系非常明確，以下是對(duì)他們合作關(guān)系的詳細(xì)概述：合作背景：EPC作為全球氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管和集成電路的領(lǐng)導(dǎo)廠商，一直在尋求擴(kuò)大其高性能氮化鎵晶體管和集成電路的產(chǎn)能。VIS作為全球特殊集成電路制造服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有高質(zhì)量的制......

Transphorm在中國(guó)開設(shè)氮化鎵（GaN）應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室是一個(gè)重要的戰(zhàn)略舉措，旨在加強(qiáng)其在中國(guó)乃至亞太地區(qū)的業(yè)務(wù)布局和技術(shù)支持。以下是關(guān)于Transphorm在中國(guó)開設(shè)氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的詳細(xì)情況：一、背景介紹Transphorm是一家全球性的半導(dǎo)體公司，專注于開發(fā)適合高電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的氮化鎵（GaN）FET。憑借業(yè)界領(lǐng)先的IP產(chǎn)品組合和......

工研院（假設(shè)為某特定工業(yè)研究機(jī)構(gòu)）和Ganvix擴(kuò)大合資企業(yè)，將創(chuàng)新激光技術(shù)商業(yè)化的舉措，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行清晰的歸納和解釋：合資企業(yè)背景：工研院與Ganvix的合資企業(yè)旨在結(jié)合雙方在激光技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力和市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，共同推動(dòng)創(chuàng)新激光技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)：合資企業(yè)將聚焦于創(chuàng)新激光技術(shù)的研發(fā)，這可能包括提高激光的功率、效率、穩(wěn)定......

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體PowerGaN系列，確實(shí)在提升電源能效和減小體積方面展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)該系列產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品概述意法半導(dǎo)體的PowerGaN系列是基于氮化鎵（GaN）材料的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，該系列屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER產(chǎn)品組合。氮化鎵作為......

使用氮化鎵(GaN)提高電源效率是一個(gè)在電子工程領(lǐng)域廣泛研究和應(yīng)用的技術(shù)趨勢(shì)。氮化鎵作為一種新型半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，在電源效率提升方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。以下是從多個(gè)方面詳細(xì)闡述氮化鎵如何提高電源效率：一、氮化鎵的物理特性高帶隙能：氮化鎵提供的帶隙能約為3.2電子伏特(eV)，大約是硅材料的3倍。理論上，更高的帶隙意味著在較高溫度下能......

Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合，這一舉措體現(xiàn)了Microchip在射頻功率技術(shù)領(lǐng)域的深入布局和創(chuàng)新能力。以下是對(duì)Microchip氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合擴(kuò)大的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品擴(kuò)展背景Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）通過不斷的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新，大幅擴(kuò)展了......

納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）在氮化鎵功率芯片領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，其推出的GaNSense新技術(shù)以及基于此技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在高頻電力電子領(lǐng)域的又一重要突破。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)解析：一、GaNSense新技術(shù)簡(jiǎn)介GaNSense是納微半導(dǎo)體獨(dú)有的新技術(shù)，它集成了自動(dòng)保護(hù)和無(wú)損電流感測(cè)......

納微半導(dǎo)體副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰曾表示，到2023年，氮化鎵（GaN）每瓦成本將低于硅，成為手機(jī)充電的未來(lái)。這一預(yù)測(cè)主要基于氮化鎵在材料優(yōu)勢(shì)和物理性能上的顯著優(yōu)勢(shì)，以及隨著技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)量提升所帶來(lái)的成本下降。以下是對(duì)這一觀點(diǎn)的具體分析：氮化鎵的優(yōu)勢(shì)性能提升：氮化鎵器件的開關(guān)速度比硅器件快20倍，這使得氮化鎵充電器在體積和重量上能夠大幅......

利用氮化鎵（GaN）芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源是當(dāng)前電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要發(fā)展方向。氮化鎵作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，這些特性使得氮化鎵功率器件在電力轉(zhuǎn)換中能夠顯著提升效率并減小體積。以下是對(duì)利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源的詳細(xì)分析：一、氮化鎵材料的優(yōu)......

納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易，這一事件在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。以下是關(guān)于此事件的詳細(xì)情況：一、上市基本信息公司名稱：納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）上市日期：美國(guó)東部時(shí)間2021年10月20日上市地點(diǎn)：納斯達(dá)克全球市場(chǎng)股票代碼：NVTS二、公司背景與業(yè)務(wù)納微半導(dǎo)體是一家在氮化鎵（GaN）功率......

特種技術(shù)——芯片，作為現(xiàn)代科技的基石，正以前所未有的方式改變著我們的生活。以下從多個(gè)方面闡述特種芯片如何深刻地影響我們的日常生活和社會(huì)進(jìn)步。一、特種芯片的定義與特點(diǎn)特種芯片通常指的是用于特定行業(yè)或特定應(yīng)用領(lǐng)域的芯片，它們具有獨(dú)特的功能和特點(diǎn)。與普通芯片相比，特種芯片具有更高的集成度、更低的功耗、更強(qiáng)的抗干擾能力，并且能夠適應(yīng)極端環(huán)境下的工......

報(bào)告指出中國(guó)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體外延設(shè)備的主要驅(qū)動(dòng)力量，這一結(jié)論可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行闡述：一、市場(chǎng)需求與產(chǎn)業(yè)規(guī)模市場(chǎng)需求增長(zhǎng)：隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整，工業(yè)制造規(guī)模不斷擴(kuò)大，對(duì)半導(dǎo)體外延設(shè)備的需求也日益增長(zhǎng)。特別是在消費(fèi)電子、通信、汽車電子等領(lǐng)域，對(duì)高性能、高可靠性的半導(dǎo)體器件需求不斷增加，從而推動(dòng)了外延設(shè)備市場(chǎng)的擴(kuò)大。產(chǎn)業(yè)......