您現(xiàn)在的位置： 首頁(yè) > 標(biāo)簽 > GaN
GaN
GaN
相關(guān)文章 : 1篇 瀏覽 : 54次

Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及...
Analog Devices公司ADPA1113 GaN功率放大器在2.3GHz至5.7GHz范圍內(nèi)提供46.5dBm (44.7W)輸出，功率效率提高39.0%。The Analog Devices Inc.ADPA1113在整個(gè)頻率范圍內(nèi)無(wú)縫工作，無(wú)需外部匹配、交流耦合或外部電感進(jìn)行偏置。該設(shè)備適用于軍用干擾機(jī)和雷達(dá)等連續(xù)波應(yīng)用。特性......
Anal... ADPA... GaN功...
2024-04-03
63
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場(chǎng)效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場(chǎng)效...
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關(guān)閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺(tái)。第四代SuperGaN平臺(tái)采用先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，簡(jiǎn)化了可制......
Tran... TP65... GaN場(chǎng)...
2024-03-21
4
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN GaN場(chǎng)效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN ...
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺(tái)，該平臺(tái)結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，以簡(jiǎn)化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓......
Tran... TP65... GaN場(chǎng)...
2024-03-21
6
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET(50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺(tái)，該平臺(tái)支持先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，可簡(jiǎn)化制造過(guò)程。TP65H050G4YS 650V FET結(jié)合了最先進(jìn)的高......
Tran... TP65... Supe...
2024-03-21
5
如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機(jī)逆變器
如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機(jī)逆變器...
　　作者：Bill Schweber　　推動(dòng)更有效地利用能源、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及冷卻器運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)都支持了最近減少電動(dòng)機(jī)功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開(kāi)關(guān)技術(shù)很普遍，但它們通常無(wú)法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)?！　∠喾?，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器......
GaN功... 電機(jī)逆變... EPC2...
2024-03-07
73
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET in TOLT的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導(dǎo)通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統(tǒng)中，不允許傳統(tǒng)的表面貼裝設(shè)備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關(guān)閉器件，結(jié)合了......
Tran... TP65... Supe...
2024-02-28
6
適用于自主駕駛車輛激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC2252)快速指南(EPC9989內(nèi)插器板)
適用于自主駕駛車輛激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC225...
　　作者：Kenton Williston　　激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W......
LiDA... GaN ... 自主駕駛...
2024-02-18
144
Analog Devices ltc7891-az評(píng)估板(LTC7891 100V降壓同步GaN場(chǎng)效應(yīng)管控制器)的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices ltc7891-az評(píng)估板(LTC7891 100...
Analog Devices公司EVAL-LTC7891-AZ評(píng)估板采用LTC7891 100V降壓同步GaN場(chǎng)效應(yīng)管控制器。LTC7891專門設(shè)計(jì)通過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化的自引導(dǎo)開(kāi)關(guān)和智能死區(qū)時(shí)間控制，安全輕松地驅(qū)動(dòng)高達(dá)100V的GaN場(chǎng)效應(yīng)管。分柵驅(qū)動(dòng)器允許很容易地調(diào)節(jié)fet的接通和關(guān)斷。此外，該IC具有低IQ，高達(dá)3MHz可編程/同步開(kāi)關(guān)頻率，......
LTC7... GaN場(chǎng)... EVAL...
2024-01-30
11
Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices公司LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)級(jí)，驅(qū)動(dòng)邏輯控制和保護(hù)。驅(qū)動(dòng)程序可以配置為同步半橋、全橋拓?fù)浠蚪祲?、升壓和降?升壓拓?fù)洹T8418提供強(qiáng)大的電流源/下沉能力，具有0.6歐姆上拉和0.2歐姆下拉電阻。它還集成了一個(gè)智能集成引導(dǎo)開(kāi)關(guān)，從V(CC)產(chǎn)生一個(gè)平衡的引導(dǎo)電壓，并......
Anal... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-30
14
Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評(píng)估板（LT8418半橋式GaN驅(qū)動(dòng)器）的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評(píng)估板（LT8418半...
Analog Devices公司EVAL-LT8418-BZ評(píng)估板的特點(diǎn)是LT8418在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè)100V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)管。該電路被優(yōu)化為降壓變換器，但可以用作升壓變換器或由半橋組成的其他變換器拓?fù)洹Ｔu(píng)估電路提供高達(dá)10A，具有良好的熱管理。根據(jù)配置的不同，需要一個(gè)或兩個(gè)外部PWM信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)電路板。在單輸入設(shè)置中，......
EVAL... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-22
16
88gan寬禁帶半導(dǎo)體材料基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
88gan寬禁帶半導(dǎo)體材料基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
摘要88gan是一種常用的元器件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從四個(gè)方面對(duì)88gan進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括其基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。一、基本特性88gan是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性。它具有高電子遷移率、高飽和漂移速度和較低的功耗等優(yōu)點(diǎn)。此外，88gan還具有較高的熱穩(wěn)定性和抗輻射能力，在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)......
88ga... 寬禁帶半...
2023-08-15
11
56gan基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
56gan基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
摘要56gan是一種常見(jiàn)的元器件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從四個(gè)方面對(duì)56gan進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括其基本特性、制造工藝、應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。一、基本特性56gan是一種高頻功率半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性。它具有較高的飽和電子遷移率和較大的擊穿電壓，能夠在高頻率下實(shí)現(xiàn)低損耗傳輸。此外，56gan還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在極端......
56ga...
2023-08-15
94
基于Infineon BLC6G10L-150、NXP BLF888A、GaN Systems GS65516B射頻晶體管實(shí)現(xiàn)一種新型WCDMA直放站PA的設(shè)計(jì)方案
基于Infineon BLC6G10L-150、NXP BLF888A、GaN ...
　　一種新型WCDMA直放站PA的設(shè)計(jì)方案　　設(shè)計(jì)一種新型的WCDMA直放站功放(Power Amplifier，PA)涉及到射頻電路設(shè)計(jì)、功率放大、線性性能優(yōu)化等方面。以下是一個(gè)基本的WCDMA直放站功放設(shè)計(jì)方案的概述：　　需求分析：　　確定功放的頻率范圍、輸出功率、線性性能、效率等需求?！　》治霾煌剖较碌奶攸c(diǎn)，如WCDMA的寬帶信......
WCDM...
2023-08-08
30
Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-MH評(píng)估板(AHV85110隔離GaNFET柵極驅(qū)動(dòng)器)的介紹、特性、及應(yīng)用
Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-M...
　　Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-MH評(píng)估板旨在評(píng)估和演示AHV85110隔離GaNFET柵極驅(qū)動(dòng)器。AHV85110柵極驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)隔離輸出偏置電源集成到驅(qū)動(dòng)器中，消除了外部柵極驅(qū)動(dòng)輔助偏置電源或高側(cè)自舉的需要。典型的應(yīng)用包括電動(dòng)汽車充電器，OBC, AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，運(yùn)......
Alle... AHV8... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2023-07-18
34
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN場(chǎng)效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mo...
　　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管利用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。高可靠性的GNP1 fet內(nèi)置ESD保護(hù)和良好的散熱，便于安裝。應(yīng)用包括高開(kāi)關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器?！　√匦浴　?50V e型GaN場(chǎng)效應(yīng)管　　低ON電阻　　高速開(kāi)關(guān)　　內(nèi)置ESD......
ROHM 場(chǎng)效應(yīng)管 GNP1
2023-07-06
27
Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動(dòng)放大器的介紹、特性、及應(yīng)用
Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動(dòng)放大器的介紹、特性、及應(yīng)用
　　Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動(dòng)放大器基于SiC工藝的0.15 μ m QGaN15，采用4mm x 3mm x 0.65mm模具封裝的QFN封裝。這些放大器具有8.5GHz至10.5GHz的工作頻率范圍，2W的飽和輸出功率，50%的功率附加效率和27dB的大信號(hào)增益。QPA0001放大器還具有33dBm輸出功率，-40°C至......
Qorv... QPA0... GaN驅(qū)...
2023-07-05
10
德州儀器LMG2610 GaN半橋IC的介紹、特性、及應(yīng)用
德州儀器LMG2610 GaN半橋IC的介紹、特性、及應(yīng)用
　　德州儀器LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管半橋，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中小于75W的有源箝位反激(ACF)轉(zhuǎn)換器。LMG2610通過(guò)在9mm × 7mm QFN封裝中集成柵極驅(qū)動(dòng)器、半橋功率fet、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電平移位器，減少了組件數(shù)量，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并減少了板空間。非對(duì)稱GaN F......
德州儀器 LMG2... GaN半...
2023-04-14
44
CUI Inc SDM300G-U & SDM300G-UR GaN適配器的介紹、特性、及應(yīng)用
CUI Inc SDM300G-U & SDM300G-UR GaN適配器的介紹...
　　CUI Inc SDM300G-U和SDM300G-UR GaN適配器提供了90V(AC)到264V(AC)的通用輸入范圍，最大輸出電流為24A，以及VI級(jí)效率。這些適配器提供多種保護(hù)，包括過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫和短路。CUI Inc SDM300G SDM300G- u和SDM300G- ur適配器具有GaN技術(shù)，體積緊湊，單調(diào)節(jié)輸出......
CUI GaN適... SDM3...
2023-02-23
56
為什么以及如何將GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用
為什么以及如何將GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用
　　面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是，對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的各種應(yīng)用，功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度對(duì)于設(shè)計(jì)成功至關(guān)重要?！　榱藵M足這些要求，開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員需要從使用傳統(tǒng)的硅(Si)基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)轉(zhuǎn)變，因?yàn)樗鼈冋谘杆俳咏?.....
場(chǎng)效應(yīng)晶... FET驅(qū)... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2023-01-30
28
SiC和GaN的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)快速采用
SiC和GaN的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)快速采用
SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)主要集中在以下幾個(gè)方面：1. 生產(chǎn)挑戰(zhàn)生產(chǎn)速度：SiC的生產(chǎn)過(guò)程相較于傳統(tǒng)的硅基材料更為緩慢。例如，用于生產(chǎn)SiC的過(guò)程需要很長(zhǎng)時(shí)間，而硅晶片則是通過(guò)Czochralski工藝快速生產(chǎn)，其中數(shù)米長(zhǎng)的硅晶錠從1500°C的熔融硅桶中拉出。加工難度：SiC和GaN作為硬而脆的材料，加工難度較大......
SiC GaN 功率晶體...
2022-12-16
54